[实用新型]一种碳化硅晶片的退火用装置和退火用堆叠结构有效
| 申请号： | 201922323715.1 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN210984704U | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 徐良;曹力力;蓝文安;刘建哲;余雅俊;夏建白;李京波;郭炜;叶继春 | 申请（专利权）人： | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 321000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 退火 装置 堆叠 结构 | ||
1.一种碳化硅晶片的退火用装置，其特征在于，包括C形装置底座(1)和多个圆弧状凸起墩(2)，所述C形装置底座(1)设有C形上表面、C形下表面、内圆弧侧面和外圆弧侧面，所述多个圆弧状凸起墩(2)等间距设置于所述C形上表面的外缘端，所述多个圆弧状凸起墩(2)包括圆弧形上表面、圆弧形下表面、第一圆弧侧面和第二圆弧侧面，所述第一圆弧侧面和第二圆弧侧面与所述内圆弧侧面和所述外圆弧侧面同心设置。
2.如权利要求1所述的退火用装置，其特征在于，
所述C形装置底座(1)的外圆弧侧面的缺口的圆心角角度等于所述C形装置底座(1)内圆弧侧面的缺口的圆心角角度等于30～60°。
3.如权利要求1所述的退火用装置，其特征在于，
所述C形装置底座(1)的外径R2为170-185mm，所述C形装置底座(1)的内径R1为140-145mm，所述C形装置底座(1)的厚度L1为30-40mm，所述C形装置底座(1)的高度H1为30-40mm，所述多个圆弧状凸起墩(2)的厚度离L2比L1小6-10mm，所述多个圆弧状凸起墩(2)的高度H2为6-10mm。
4.如权利要求1所述的退火用装置，其特征在于，
所述圆弧状凸起墩(2)的个数为3个。
5.一种碳化硅晶片的退火用堆叠结构，其特征在于，包括上、下堆叠的多个如权利要求1-4任一所述的退火用装置，每个退火用装置的C形装置底座(1)的开口位置相对应。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江博蓝特半导体科技股份有限公司，未经浙江博蓝特半导体科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922323715.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种计算机用滚轮靠背椅
- 下一篇：一种床垫的结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
