[实用新型]送取样装置

说明书

本实用新型公开了一种送取样装置，包括：反应室，用于衬底的外延生长；真空室，包括真空腔，所述真空腔被抽真空至设定的真空度，所述真空室通过第一密封门和所述反应室连接；预热室，用于对石墨托盘上的衬底预热，所述预热室通过第二密封门和所述真空室连接；送样室，用于送取石墨托盘，所述送样室通过第三密封门和所述真空室连接；机械手，设置在所述真空室内，用于在所述送样室、所述预热室和所述反应室之间搬运石墨托盘。本实用新型的衬底升降温时间短、衬底放样和取样速度快、生产效率高。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅外延生长技术领域，尤其涉及一种用于碳化硅外延设备的带预热功能的送取样装置。

背景技术

碳化硅外延设备是一种用化学气相沉积法制备碳化硅单晶薄膜材料的一种设备。反应过程中，衬底放置在石墨托盘上，需要快速的升降温，最高温度达到1650℃以上，升温速率达到5℃/秒，降温速率达到6℃/秒。外延生长的时间通常只占到整个过程的1/3甚至更少，因而，提高衬底放样和取样速度及减少升降温时间对生产效率具有非常重大的价值。目前碳化硅外延设备有立式、卧式和行星式反应管，取样方式有机械手和人工手动两种方式。机械手取样虽然可以较高的温度下进行，但送样时都是在常温下进行；人工手动送取样时都是在常温下进行。这两种方法在加热时都需要将衬底从常温加热到1650℃以上，衬底升降温时间长、衬底放样和取样速度慢、生产效率低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种送取样装置，以解决现有技术中的衬底升降温时间长、衬底放样和取样速度慢、生产效率低的技术问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是提供一种送取样装置，包括：反应室，用于衬底的外延生长；真空室，包括真空腔，所述真空腔被抽真空至设定的真空度，所述真空室通过第一密封门和所述反应室连接；预热室，用于对石墨托盘上的衬底预热，所述预热室通过第二密封门和所述真空室连接；送样室，用于送取石墨托盘，所述送样室通过第三密封门和所述真空室连接；机械手，设置在所述真空室内，用于在所述送样室、所述预热室和所述反应室之间搬运石墨托盘。

在本实用新型的一具体实施例中，所述反应室包括反应壁和反应腔，所述反应腔由所述反应壁围成；所述反应室大致呈圆柱形，所述石墨托盘放置在所述反应腔的中心轴位置。

在本实用新型的一具体实施例中，所述预热室包括预热壁和预热腔，所述预热腔由所述预热壁围成；所述预热腔内设置有支架，所述支架底部设置有加热器，所述加热器用于对放置在所述支架上的所述石墨托盘上的衬底加热。

在本实用新型的一具体实施例中，所述支架包括相对设置的第一支架和第二支架，所述第一支架和所述第二支架均包括竖直部，两个所述竖直部相对的面上朝对方垂直延伸设置有水平部；所述水平部远离所述竖直部的一端向上垂直延伸设置有支撑部。

在本实用新型的一具体实施例中，每个所述竖直部上的所述水平部的数量有多个，多个所述水平部沿所述竖直部的延伸方向间隔设置。

在本实用新型的一具体实施例中，所述预热壁和所述第二密封门的内侧均设置有保温层。

在本实用新型的一具体实施例中，所述真空室包括真空壁，所述真空壁围成所述真空腔；所述真空室呈正多棱柱形，所述真空腔的中心位置设置有所述机械手，所述真空壁的几个侧面分别和所述反应室、所述预热室及所述送样室连接。

在本实用新型的一具体实施例中，所述真空室为正六棱柱形。

在本实用新型的一具体实施例中，所述真空室与所述反应室、所述预热室及所述送样室连接处分别共用一个墙壁。

本实用新型的有益之处在于：