[实用新型]一种半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其包括：半导体垒晶叠层，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；电介质层，位于所述第一导电型半导体层的远离活性层的一侧，所述电介质层具有多个贯通的开口；金属层，位于所述电介质层的远离第一导电型半导体层的一侧，所述金属层通过所述电介质层的多个开口与第一导电型半导体层进行电性连接；其特征在于，所述电介质层的多个贯通的开口为环形的。

2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于，所述电介质层的环形开口为圆形或者方形的。

3.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于，所述电介质层的环形开口的宽度为0~15um，环形开口的外径尺寸为3~30um，环形开口的面积占整个电介质层面积的比例为10%~95%。

4.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于，所述电介质层为单层或者多层结构，所述电介质层为ZnO、SiOx、SiOxNy、Si₃N₄、Al₂O₃、TiOx、MgF或GaF中一种材料组成。

5.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于，所述的金属层至少包括金属反射层。

6.根据权利要求5所述的一种半导体发光元件，其特征在于，所述的金属反射层可以是Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf中

的至少一种金属或者合金形成。

7.根据权利要求6所述的一种半导体发光元件，其特征在于，所述金属反射层和所述电介质层形成ODR反射结构，将半导体垒晶叠层发出的光反射至出光侧。

8.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于，所述半导体垒晶叠层辐射蓝光、绿光、红光或红外光。

9.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于，还包括一正面电极，位于第二导电型半导体层的上部并与第二导电型半导体层电性连接。

10.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于，还包括一相反电极与金属层电性连接。

11.根据权利要求10所述的一种半导体发光元件，其特征在于，所述的金属层下方具有基板，所述的基板为导电型基板，基板位于相反电极与金属层之间。

12.根据权利要求11所述的一种半导体发光元件，其特征在于，所述的导电型基板为硅、碳化硅、金属基板，金属基板优选为铜，钨、钼基板。

13.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于，所述金属层通过欧姆接触层与第一导电型半导体层形成欧姆接触。

14.根据权利要求13所述的一种半导体发光元件，其特征在于，所述欧姆接触层为透明导电层或者金属合金。