[实用新型]开关管限流保护电路有效

专利信息
申请号: 201922343206.5 申请日: 2019-12-20
公开(公告)号: CN210867626U 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 蒋小强;吴国平;周尧;崔凤敏;刘桂芝 申请(专利权)人: 上海南麟电子股份有限公司
主分类号: H03K17/082 分类号: H03K17/082;H03K17/28
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 施婷婷
地址: 201210 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 开关 限流 保护 电路
【说明书】:

实用新型提供一种开关管限流保护电路,包括:参考电压产生模块,连接开关管的输入端,设定限流的参考电压;采样模块,连接开关管的输出端,获得采样电压;比较模块,将参考电压与采样电压进行比较,并输出比较结果;驱动模块,基于所述比较结果控制开关管导通及关断,实现限流。本实用新型电路简单,限流点准确;反应迅速,响应时间短;稳定性高;电路简单可靠,并且可以控制开关的栅源电压恒定;功耗低;具有自恢复功能,还增加延时启动电路,以防止过短时间内重复启动,导致输出有振荡。

技术领域

本实用新型涉及微电子集成电路技术领域,特别是涉及一种开关管限流保护电路。

背景技术

在膝上型计算机、蜂窝电话以及类似的各种应用中,MOSFET被广泛用作开关。许多这样的产品具有对过流状态非常敏感的内部电路元件。如果电路中的一个元件发生短路,其导致的流经该电路的电流的增加将损害或破坏电路中其余的元件。例如,在计算机通用串行总线(USB,Universal Serial Bus)应用中,如果用户将该USB端口短路,将存在这样的风险,即该短路将传播回计算机并损害计算机内的其它系统。因此,期望提供一种限制MOSFET最大电流的保护电路,该保护电路检测过流状态并充分地关断该开关,使得电流达不到将损害产品的水平。

通常地,MOSFET应具有非常低的导通内阻。通过将最大电流预设于一个安全水平,可以非常迅速地响应过流状态。响应时间非常重要,因为电路进入过流状态的时间越长,损害的可能性越大。而要被保护的系统必须被一定程度地超安全标准设计,以抵挡在限流保护电路起保护作用之前所发生的电流脉冲,而这将导致额外的成本。快速响应的限流保护电路,可以有效减少超安全标准设计所需的总量。

在现有许多限流保护电路中,通常用采样电路跟MOSFET并联起来,并检测采样电路流经的电流。图1为一种现有的限流保护电路,MOSFET 82的电流是流经MOSFET 80的电流的设定的百分比。放大器88的输出控制MOSFET 90,使放大器88的正相输入端(+)和负相输入端(-)近似相等(虚短)。MOSFET 80和MOSFET 82的VDS相等,流经两者的电流近乎按MOSFET80和MOSFET 82的宽长比例分配。当没有负载电流Iout时,放大器88偏置MOSFET90为关断,没有电流经过电阻RSET 84。当负载电流Iout增加,流过电阻RSET84的电流增加,引起电压SET增加,并被发送给限流放大器86的正相输入端(+)。当电压SET超过内部电压Vref时,限流放大器86的输出控制MOSFET 80和MOSFET 82的栅极,减小其电流。因为这个环路中包含两个放大器,它对于过流和短路状态的响应相当慢。而且当VOUT低于Vref时,该电路并不会限制电流,因为电压SET被MOSFET 90限制在VOUT以下,电流继续增加,不会改变限流放大器86的输出。因此过流状态可能一直持续,导致系统损害。

另外,该采样电路还有一个缺点,即需要另一个并联的MOSFET 82,而两个MOSFET的比例悬殊,又因为MOSFET的特性或制造工艺的缺陷,导致在相同的VDS电压下,两个MOSFET流经的电流并不是严格按照比例分配,这就导致了在临界限制点,出现过早保护或延迟保护的现象。而且在MOSFET 80为外置MOS时,该电路不适用。集成电路内部无法找到和MOSFET 80相同工艺的MOSFET 82,两者的电压电流特性曲线完全不同,完全没有采样的意义。

因此,如何提供一种结构简单、响应时间短、工艺简单、易实现的限流保护电路,已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种开关管限流保护电路,用于解决现有技术中开关管限流保护电路结构复杂、响应时间长、工艺复杂、难以实现等的问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种开关管限流保护电路,所述开关管限流保护电路至少包括:

参考电压产生模块,采样模块,比较模块及驱动模块;

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