[实用新型]一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路

说明书

本实用新型涉及一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，其包括并联MOS管单元、采样电路单元、比较电路单元、PNP型三极管和控制单元，并联MOS单元经采样电路单元、比较电路单元与PNP型三极管的基极相连接，控制单元的输出端与PNP型三极管的发射极相连接，其中，并联MOS单元包括并联的第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管的栅极与PNP型三极管的发射极相连接，第二MOS管的栅极与PNP型三极管的集电极相连接。本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，能够在使用两个或多个MOS管并联，实现较高变换功率的基础上，显著降低电源轻载或者空载待机功耗。

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，具体涉及一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路。

背景技术

在开关电源的拓扑中，反激拓扑为最常用的拓扑之一。现有反激拓扑开关电源工作时，当输出功率较高时，初级侧开关需使用两个或多个MOS管并联，以满足初级侧的峰值电流要求。虽然满载输出时，多个MOS管的使用有利于提高转换效率，但当轻载或者空载工作时，初级侧峰值电流幅值较小，两个或多个MOS管的并联使用会额外增加MOS管的开关损耗，从而导致开关电源空载待机功耗升高的缺陷。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：克服现有开关电源初级侧开关的轻载或者空载待机功耗，提供一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路。

为解决上述技术问题，本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，其特征是：包括并联MOS管单元、采样电路单元、比较电路单元、PNP型三极管和控制单元，并联MOS单元经采样电路单元、比较电路单元与所述PNP型三极管的基极相连接，所述控制单元的输出端与所述PNP型三极管的发射极相连接，其中，所述并联MOS单元包括并联的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述PNP型三极管的发射极相连接，所述第二MOS管的栅极与所述PNP型三极管的集电极相连接。

进一步的，所述采样电路单元包括取样电阻、保持二极管和保持电容。

进一步的，所述比较电路单元第一分压电阻、第二分压电阻和运算放大器。

进一步的，所述控制单元为PWM控制芯片。

本实用新型一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路的有益效果为：能够在使用两个或多个MOS管并联，实现较高变换功率的基础上，显著降低电源轻载或者空载待机功耗，不仅节省了能耗，而且提升了电源的使用寿命和整体可靠性。

附图说明

下面结合附图对本实用新型一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路作进一步说明：

图1是本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路的结构线框图；

图2是本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路的电路图；

图3是本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路的应用图。

具体实施方式

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系均为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。