[实用新型]一种线性高增益异质结双极晶体管功率放大器

权利要求书

1.一种线性高增益异质结双极晶体管功率放大器，其特征在于，包括输入CLC匹配网络、自适应线性化偏置网络、三堆叠异质结双极晶体管放大网络、输出CLC匹配网络；

所述输入CLC匹配网络的输入端为整个所述功率放大器的输入端，其输出端与所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的第一输入端连接；

所述自适应线性化偏置网络的输入端、第一输出端、第二输出端、第三输出端分别与所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的第五输入端、第二输入端、第三输入端和第四输入端连接；

所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的输出端与所述输出CLC匹配网络的输入端连接；

所述输出CLC匹配网络的输出端为整个所述功率放大器的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种线性高增益异质结双极晶体管功率放大器，其特征在于，所述输入CLC匹配网络的输入端RF_in连接微带线TL₁,微带线TL₁的另一端连接电容C_in1，电容C_in1的另一端连接接地微带线TL₂和电容C_in2，电容C_in2的另一端连接输入CLC匹配网络的输出端。

3.根据权利要求1所述的一种线性高增益异质结双极晶体管功率放大器，其特征在于，所述自适应线性化偏置网络输入端连接晶体管Q_f1的集电极、电阻R_g、晶体管Q_f2的集电极、晶体管Q_f3的集电极；电阻R_g另一端连接晶体管Q_f1的基极、晶体管Q_f2的基极、晶体管Q_f3的基极、晶体管Q_d1的集电极和基极、和接地电容C_b1；晶体管Q_f1的发射极连接所述自适应线性化偏置网络的第三输出端和接地电阻R_s1；晶体管Q_f2的发射极连接所述自适应线性化偏置网络的第二输出端和接地电阻R_s2；晶体管Q_f3的发射极连接所述自适应线性化偏置网络的第一输出端和接地电阻R_s3；晶体管Q_d1的发射极连接晶体管Q_d2的集电极和基极，晶体管Q_d2的发射极接地。

4.根据权利要求1所述的一种线性高增益异质结双极晶体管功率放大器，其特征在于，所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络中的晶体管Q_s1的基极连接接地电容C_b2和电阻R_t1，电阻R_t1的另一端连接所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的第四输入端；晶体管Q_s1的集电极连接微带线TL₅和所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的输出端，微带线TL₅的另一端连接所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的第五输入端和偏置电压V_c；晶体管Q_s1的发射极连接微带线TL₄，微带线TL₄的另一端连接晶体管Q_s2的集电极；晶体管Q_s2的基极连接接地电容C_b3和电阻R_t2，电阻R_t2的另一端连接所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的第三输入端；晶体管Q_s2的发射极连接微带线TL₃，微带线TL₃的另一端连接晶体管Q_s3的集电极；晶体管Q_s3的基极连接所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的第一输入端和电阻R_t3，电阻R_t3的另一端连接所述三堆叠异质结双极晶体管放大网络的第二输入端晶体管Q_s3的发射极直接接地。

5.根据权利要求1所述的一种线性高增益异质结双极晶体管功率放大器，其特征在于，所述输出CLC匹配网络的输入端连接微带线TL₆，微带线TL₆的另一端连接电容C_load,电容C_load的另一端连接微带线TL₇，微带线TL₇的另一端连接接地电容C_out和微带线TL₈，微带线TL₈的另一端连接所述输出CLC匹配网络的输出端。