[实用新型]衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件有效
| 申请号： | 201922349478.6 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN212209491U | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 李国强;姚书南;孙佩椰;万利军;阙显沣 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L29/06;H01L29/778;H01L33/06;H01L33/32;H01L21/335;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈宏升 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 转移 外延 生长 hemt led 单片 集成 器件 | ||
1.衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件，其特征在于：包括HEMT区以及LED区；其中，所述HEMT区包括从下到上依次分布的转移衬底、键合层、钝化层、栅源电极、AlGaN势垒层、GaN沟道层、AlGaN背势垒层和AlN/GaN缓冲层；所述LED区包括从下到上依次分布的转移衬底、键合层、钝化层、n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层和p电极；所述HEMT区的AlGaN势垒层与GaN沟道层的界面处为HEMT区的AlGaN/GaN异质结；所述HEMT区的AlGaN/GaN异质结与LED区的n-GaN层相连，实现器件导通，能够将电流驱动的LED转变为电压驱动。
2.根据权利要求1所述衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件，其特征在于：所述HEMT区，其外延结构包括在Si衬底上依次设置的2μm的AlN/GaN缓冲层、40-80nm的AlGaN背势垒层、60-120nm的GaN沟道层、20-30nm的AlGaN势垒层。
3.根据权利要求1所述衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件，其特征在于：所述LED区，其外延结构包括在SiO2钝化层上依次设置的1.5-2μm的n-GaN层、100-200nm的多量子阱层、150-200nm的p-GaN层。
4.根据权利要求3所述衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成器件，其特征在于：所述SiO2钝化层厚度为100-200nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922349478.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于建筑模板的连接锁紧装置
- 下一篇：一种铁路道床回填作业车
- 同类专利
- 专利分类
