[实用新型]一种具有过压过流保护功能的MOS管驱动电路有效

专利信息
申请号: 201922357964.2 申请日: 2019-12-23
公开(公告)号: CN211018633U 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 杨鸿宇 申请(专利权)人: 长江大学
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02H7/12
代理公司: 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人: 刘文博
地址: 434000 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 保护 功能 mos 驱动 电路
【说明书】:

本实用新型属于驱动电路领域,提供了一种具有过压过流保护功能的MOS管驱动电路,所述电路包括脉冲放大电路、推挽电路、驱动电阻电路、过流检测电路、过压检测电路、第一保护执行电路、第二保护执行电路、两并联MOS管,所述脉冲放大电路的输出端与推挽电路电性连接,所述推挽电路的输出端与驱动电阻电路的一端电性连接,所述驱动电阻电路的另一端与两并联MOS管电性连接,所述两并联MOS管与过流检测电路、过压检测电路的一端电性连接,所述过流检测电路、过压检测电路的另一端与保护执行电路电性连接,所述保护执行电路与脉冲放大电路的输入端电性连接。

技术领域

本实用新型属于驱动电路领域,具体涉及一种具有过压过流保护功能的 MOS管驱动电路。

背景技术

功率器件MOS管性能优越,但经常会遇到一些失效情况,器件失效会影响到器件的可靠性。功率器件MOS管在正常工作时,器件的工作电压和电流应该在额定范围内,超过这个范围就有可能造成器件失效,烧毁功率器件。功率器件MOS管失效的原因有很多,常见的失效模式可以分为以下几类:雪崩击穿、静电击穿以及热效应失效等。雪崩击穿一般是由于器件过压或过流引起,所以为了安全考虑,在选型设计时,要计算主要极限参数值,使MOS管在实际工作中不超过这些参考值,而且还要留一定裕量,因为开关器件工作受系统寄生参数的影响,大的di/dt会引起很大的电压尖峰。静电击穿主要是由于功率器件接触了带静电的物品后,超过器件承受范围引起器件损坏。预防静电击穿可以在功率器件中设计静电保护电路。一般情况下,电路中任何可能存在放电回路的管脚之间都应该有保护电路,当出现静电释放时,保护电路可以将全部电流进行分流,同时将电压钳位住,从而避免过大的电压损坏电路的芯片器件。关于热效应的预防措施主要就是使功率器件的温度在工作范围内,各部分温度要均匀,避免局部温度过高。在固定功率器件MOS管到散热片上时,注意各个功率器件MOS管之间的距离要均匀,尽量使同一组功率器件MOS管处于相同的环境温度下。

当电路要求的电流容量超过单只功率器件MOS管的电流容量时,常常需要并联使用功率器件MOS管,以增加传导电流。由于功率器件MOS管的导通电阻 Ron具有正温度系数,即多个功率器件MOS管并联使用时,当某个器件承受电流偏大时,由于功率器件的热效应,它的温度就会升高,此时器件的导通电阻 Ron就会增大。而并联时各个器件漏源两端电压相等,那么这个器件所承受的电流就会减小,这样它的温度也会下降,因此可以达到自动均流和均温的作用,所以多个功率器件MOS管能够直接进行并联,正常情况下不用采取均流措施。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种具有过压过流保护功能的MOS管驱动电路,旨在解决现有技术中功率器件MOS管的工作电压和电流突然过高的技术问题。

为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种具有过压过流保护功能的MOS管驱动电路,包括脉冲放大电路、推挽电路、过流检测电路、过压检测电路、驱动电阻电路、第一保护执行电路、第二保护执行电路、两并联MOS 管,所述脉冲放大电路的输出端与推挽电路电性连接,所述推挽电路的输出端与驱动电阻电路的一端电性连接,所述驱动电阻电路的另一端与两并联MOS管电性连接,所述两并联MOS管与过流检测电路、过压检测电路的一端电性连接,所述过流检测电路、过压检测电路的另一端与保护执行电路电性连接,所述保护执行电路与脉冲放大电路的输入端电性连接。

优选的,所述两并联MOS管包括四组两并联MOS管、第一电容C1,四组两并联MOS管为第一两并联MOS管、第二两并联MOS管、第三两并联MOS 管、第四两并联MOS管,每组两并联MOS管由一个独立的电源供电,每组两并联MOS管包括两个并联的MOS管,两个MOS管的漏源极电性连接,每个 MOS管的栅源极与一个双向稳压管、一个电阻并联连接,第一电容C1的一端与第一两并联MOS管和第四两并联MOS管电性连接,第一电容C1的另一端与第二两并联MOS管和第三两并联MOS管电性连接。

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