[实用新型]一种半导体硅材料耗材生长炉

权利要求书

1.一种半导体硅材料耗材生长炉，包括炉体、位于炉体内的隔热屏、加热装置、坩埚，所述隔热屏内部为隔热腔，所述坩埚及围绕坩埚的加热装置均位于隔热腔内，其特征在于，所述加热装置与隔热屏相互固定，坩埚的下方设有坩埚轴，该坩埚轴自坩埚下方延伸并穿过隔热屏的底壁；所述隔热屏的底壁设有供坩埚轴穿过的轴孔，该轴孔的横截面自上而下逐渐变大；而所述坩埚轴具有与该轴孔配合的轴塞部，该轴塞部的横截面与轴孔对应同样为自上而下逐渐变大；当所述轴塞部上升至最高位置时与轴孔配合而形成封闭状态；

还包括位于坩埚上方的气罩，该气罩面对坩埚的下方设有吹气孔；气罩的一端连接进气管，另一端连接出气管，所述进气管自气罩向下弯折延伸，出气管自气罩同样向下延伸；所述隔热屏的底壁固定有贯穿底壁的两个直管；其中一个直管与进气管的下端配合，进气管的下端相对该直管伸缩；另一个直管与出气管的下端配合，出气管的下端同样相对该直管伸缩。

2.根据权利要求1所述的半导体硅材料耗材生长炉，其特征在于：所述轴孔为圆锥形孔，轴塞为与该圆锥形孔配合的圆锥形轴塞，该圆锥形轴塞围绕坩埚设置且与坩埚轴同轴。

3.根据权利要求2所述的半导体硅材料耗材生长炉，其特征在于：所述加热装置包括上加热器、中加热器、下加热器；所述上加热器位于坩埚上方，中加热器及下加热器围绕坩埚设施，中加热器位于下加热器上方。

4.根据权利要求3所述的半导体硅材料耗材生长炉，其特征在于：所述上加热器与上电极连接并通过上电极与隔热屏顶盖固定，上电极穿过隔热屏以及炉体；中加热器与中电极连接并通过中电极与隔热屏顶盖固定，中电极穿过隔热屏以及炉体；下加热器与下电极连接并通过下电极与隔热屏顶盖固定，下电极穿过隔热屏以及炉体。

5.根据权利要求1所述的半导体硅材料耗材生长炉，其特征在于：所述气罩与坩埚上方固定。

6.根据权利要求1所述的半导体硅材料耗材生长炉，其特征在于：所述坩埚包括圆形石墨坩埚以及位于石墨坩埚中的圆形石英坩埚，石墨坩埚由下方坩埚轴支撑。