[实用新型]3DIC封装结构有效
| 申请号： | 201922370131.X | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN210805773U | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/538;H01L21/98 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dic 封装 结构 | ||
1.一种3DIC封装结构，其特征在于，所述3DIC封装结构包括：
GPU芯片，包括具有焊盘的第一面及相对的第二面；
HBM芯片，包括具有焊盘的第一面及相对的第二面；
键合层，位于所述GPU芯片的第一面与所述HBM芯片的第一面之间，以将所述GPU芯片与所述HBM芯片键合；
第一金属连接件，位于所述键合层中，以将所述HBM芯片的焊盘与所述GPU芯片的焊盘电连接；
可控塌陷芯片连接层，位于所述GPU芯片的第二面，包括布线金属及焊料凸点；
第二金属连接件，位于所述GPU芯片中，以将所述GPU芯片的焊盘与所述布线金属电连接；
基板，与所述可控塌陷芯片连接层相接触，并与所述焊料凸点电连接。
2.根据权利要求1所述的3DIC封装结构，其特征在于：所述3DIC封装结构的厚度范围包括200μm～400μm。
3.根据权利要求1所述的3DIC封装结构，其特征在于：所述第二金属连接件包括Au金属连接件、Ag金属连接件、Cu金属连接件及Al金属连接件中的一种或组合。
4.根据权利要求1所述的3DIC封装结构，其特征在于：所述键合层包括聚合物层或片状薄膜。
5.根据权利要求1所述的3DIC封装结构，其特征在于：所述第一金属连接件包括焊料凸块或所述第一金属连接件包括金属柱及位于所述金属柱上方的焊料凸点。
6.根据权利要求1所述的3DIC封装结构，其特征在于：所述可控塌陷芯片连接层与所述基板之间还包括填充层，所述填充层包括硅胶层及环氧树脂层中的一种。
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