[实用新型]一种高纯锗用加热坩埚和直拉提纯装置有效
申请号: | 201922373643.1 | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN211471638U | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 孔鑫燚;李万朋;许所成;许兴;马英俊;林泉 | 申请(专利权)人: | 有研光电新材料有限责任公司 |
主分类号: | C30B29/08 | 分类号: | C30B29/08;C30B15/10;C30B15/00 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 董李欣 |
地址: | 065001 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纯 加热 坩埚 提纯 装置 | ||
1.一种高纯锗用加热坩埚,其特征在于,所述加热坩埚包括外层和内层;
所述内层为带有上沿的杯形结构,内部用于容纳锗原料,构成熔炼腔室;
所述外层呈上下开口的筒形;
所述外层套设于所述内层的外侧,且所述外层的顶部与内层的上沿密封连接;
所述外层的直径大于所述内层的直径,二者之间构成具有底部开口的容纳空间。
2.如权利要求1所述的加热坩埚,其特征在于,所述外层和内层为一体成型结构。
3.如权利要求1所述的加热坩埚,其特征在于,所述加热坩埚的材质为半导体级石英。
4.如权利要求1-3任意一项所述的加热坩埚,其特征在于,所述内层的直径为40-50mm,所述外层的直径为65-75mm。
5.如权利要求4所述的加热坩埚,其特征在于,所述内层和/或外层的壁厚度为10mm。
6.一种直拉提纯装置,其特征在于,所述直拉提纯装置包括权利要求1-5任一项所述的加热坩埚,和设置在所述加热坩埚的容纳空间中的加热器。
7.如权利要求6所述的直拉提纯装置,其特征在于,所述加热器为石墨加热器。
8.如权利要求6所述的直拉提纯装置,其特征在于,所述加热器呈顶部开口的筒形,其顶部开口通过所述底部开口插设于所述加热坩埚的容纳空间中。
9.如权利要求6所述的直拉提纯装置,其特征在于,所述加热器的直径大于所述加热坩埚内层的直径,小于所述加热坩埚外层的直径,所述加热器的高度大于内层的高度,小于外层的高度。
10.如权利要求9所述的直拉提纯装置,其特征在于,所述加热器的直径为55-70mm。
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