[实用新型]一种硅基叠层太阳电池

权利要求书

1.一种硅基叠层太阳电池，其特征在于，包括顶电池(15)、底电池(14)和复合层(7)；所述顶电池(15)为钙钛矿太阳电池；所述底电池(14)为硅基太阳电池；所述复合层(7)在所述底电池(14)和所述顶电池(15)之间；且所述复合层(7)将所述底电池(14)和所述顶电池(15)串联。

2.根据权利要求1所述的硅基叠层太阳电池，其特征在于，所述复合层(7)的材料为氧化铟锡、氟掺杂的氧化锡、氧化铟锌或者铝掺杂的氧化锌。

3.根据权利要求1所述的硅基叠层太阳电池，其特征在于，所述底电池(14)包括硅基底(5)；在所述硅基底(5)的正面有P⁺掺杂层(6)；在所述硅基底(5)的背面依次有SiO₂层(4)和掺杂磷多晶硅层(3)。

4.根据权利要求3所述的硅基叠层太阳电池，其特征在于，SiO₂层(4)的厚度为2～5nm。

5.根据权利要求3所述的硅基叠层太阳电池，其特征在于，掺杂磷多晶硅层(3)厚度为50～80nm。

6.根据权利要求1所述的硅基叠层太阳电池，其特征在于，所述顶电池(15)包括钙钛矿层(10)；在所述钙钛矿层(10)的背面有电子传输层；在所述钙钛矿层(10)的正面有空穴传输层(11)。

7.根据权利要求6所述的硅基叠层太阳电池，其特征在于，所述钙钛矿层(10)的厚度为200～400nm。

8.根据权利要求6所述的硅基叠层太阳电池，其特征在于，所述电子传输层包括第一TiO₂薄膜层(8)和第二TiO₂薄膜层(9)；所述第二TiO₂薄膜层(9)为介孔结构。

9.根据权利要求8所述的硅基叠层太阳电池，其特征在于，所述第一TiO₂薄膜层(8)厚度为20～30nm；所述第二TiO₂薄膜层(9)厚度为50～70nm。

10.根据权利要求1所述的硅基叠层太阳电池，其特征在于，在所述顶电池(15)的外侧制备有正面透明导电玻璃(12)，在所述底电池(14)的外侧制备有背面透明导电玻璃(2)；在所述正面透明导电玻璃(12)上制备有上电极(13)；在所述背面透明导电玻璃(2)上制备有下电极(1)。