[实用新型]一种涡流抑制结构

权利要求书

1.一种涡流抑制结构，包括磁致伸缩层(1)，其特征在于，还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层设置于所述磁致伸缩层(1)内，用于打断涡流；所述磁致伸缩层(1)内沿其厚度方向设置第一绝缘介质层(2)和所述磁致伸缩层(1)内沿其宽度方向设置第二绝缘介质层(3)。

2.根据权利要求1所述一种涡流抑制结构，其特征在于，所述磁致伸缩层(1)内沿其厚度方向设置至少一层所述第一绝缘介质层(2)。

3.根据权利要求2所述一种涡流抑制结构，其特征在于，所述第一绝缘介质层(2)为三层且相互平行，每层所述第一绝缘介质层(2)的厚度为5-100nm，所述磁致伸缩层(1)的材料为FeGaB薄膜，所述FeGaB薄膜总厚度为1μm，所述第一绝缘介质层(2)的电导率范围为0-100S/m，所述第一绝缘介质层(2)由Al₂O₃、Si₃N₄和AlN中任一种材料制成。

4.根据权利要求1所述一种涡流抑制结构，其特征在于，所述磁致伸缩层(1)内沿其宽度方向设置至少一层所述第二绝缘介质层(3)。

5.根据权利要求4所述一种涡流抑制结构，其特征在于，所述第二绝缘介质层(3)为三层且相互平行，每层所述第二绝缘介质层(3)的厚度为5-30nm，所述磁致伸缩层(1)的材料为FeGaB薄膜，所述FeGaB薄膜总厚度为1μm，所述第二绝缘介质层(3)的电导率范围为0-100S/m，所述第二绝缘介质层(3)由Al₂O₃、Si₃N₄和AlN中任一种材料制成。

6.一种磁电天线，包括上电极，其特征在于，还包括权利要求1-5任一项所述涡流抑制结构，所述涡流抑制结构设置在所述上电极上。