[实用新型]一种晶圆级封装芯片

权利要求书

1.一种晶圆级封装芯片，其特征在于，包括晶圆，所述晶圆包括硅基底以及集成电路，所述集成电路设置在所述硅基底上，所述集成电路包括内部绝缘层、接地焊垫、信号焊垫，所述内部绝缘层设置在所述硅基底上，所述接地焊垫、信号焊垫设置在所述内部绝缘层上，所述硅基底上设置有增粘层，所述晶圆上设置有TSV孔，所述TSV孔底部局部或者全部漏出接地焊垫，所述硅基底背面以及TSV孔内壁上设置有种子层，所述种子层上设置有背金层。

2.如权利要求1所述的晶圆级封装芯片，其特征在于，所述硅基底厚度为50-200μm。

3.如权利要求1所述的晶圆级封装芯片，其特征在于，所述增粘层厚度为0.14-20μm。

4.如权利要求1所述的晶圆级封装芯片，其特征在于，所述增粘层的形状为方形、圆形或不规则多边形。

5.如权利要求1所述的晶圆级封装芯片，其特征在于，所述TSV孔呈梯形结构，其上开口宽度大于下开口宽度，其上开口形状可以为圆形、方形或者多边形。

6.如权利要求1所述的晶圆级封装芯片，其特征在于，增粘层为有机材料或者二氧化硅材料中的任意一种，增粘层形状为方形、圆形或不规则多边形。