[实用新型]一种基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置

说明书

本实用新型公开了一种基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置，包括数据信号处理装置、大容量数据存储器装置、PBGA900基板，数据信号处理装置包括信号处理核心芯片XC7Z045、大容量存储eMMC存储芯片、数据存储芯片DDR3和BOOT程序存储芯片QSPIFLASH，XC7Z045、DDR3、eMMC和QSPI FLASH连接于PBGA900基板的表面上，在PBGA900基板下表面进行植球，XC7Z045芯片倒装后粘接散热盖进行散热，DDR3采用两层堆叠塑封，EMMC+NAND Flash采用两层堆叠塑封，QSPI Flash采用WB转FC。本实用新型采用裸芯片堆叠、PBGA900基板和塑封管壳一体化封装技术，让装置体积更小，可靠性强，重量更轻。

技术领域

本实用新型涉及一种基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置。

背景技术

基于XC7Z045高性能通用信号处理电路即高性能计算和存储通用信号处理器，组合信号处理系统是将信号处理载体上的两种或两种以上的计算和存储设备组合在一起的计算系统。组合信号处理系统是用以解决信号处理、单元控制、大容量数据存储等问题的信息综合处理系统，具有高性能、高可靠性、高集成的特点，是网络化系统发展的必然趋势。由于每种单一信号处理系统都有各自的独特性能和局限性，如果把几种不同的单一系统组合在一起，就能利用多种信息源，互相补充，构成一种有更高性能和大容量的多功能信号处理系统，因此高性能处理器成为各种大型计算设备上必不可少的计算核心部件之一。现在对信号处理器的应用要求越来越高（小型化、大容量、便携式、多功能、数字化及高可靠性、高性能等方面），实现的功能越来越多，增加功能意味着要增加更多的器件或增加器件的功能及性能，这样势必造成整体方案体积、重量的增加，如何减少这些是一个长期研究的工作。

传统的信号处理模块一般采用基于集成电路和分立器件的多层印制板结构。基于FR4基板材料进行PCB布局布线，使用手工或回流焊接电子元器件，外部接口采用连接器连接。这种结构工艺简单，实现成本低，但是整体结构体积大，安装复杂，已经不能满足系统小型化和模块化的需求。在产品效能与小型化和模块化的需求带动下，形成了现今电子产业上相关的两大主流：系统级芯片( System on Chip，SoC )与系统级封装( System in aPackage，SiP ) 。SoC是站在设计的角度出发，目的在于将一个系统所需的组件整合到一块芯片上；而SiP则是由封装的立场出发，将不同功能的芯片整合于一个电子构造体中。

于是如何将通用信号处理这个相对功能独立的系统实现SiP在系统封装成为一个研究方向。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置。

为了达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

本实用新型提供一种基于XC7Z045高性能通用信号处理SiP电路技术装置，包括数据信号处理装置、存储装置和PBGA900基板，其中：所述数据信号处理装置包括信号处理核心芯片XC7Z045、eMMC存储器芯片、数据存储芯片DDR3和BOOT程序存储芯片QSPI FLASH；所述存储装置包括eMMC控制器芯片和NAND flash存储器芯片；所述信号处理核心芯片XC7Z045和所述数据存储芯片DDR3采用两层堆叠方式堆叠，所述信号处理核心芯片XC7Z045、所述数据存储芯片DDR3以及所述BOOT程序存储芯片QSPIF LASH连接于硅转接基板的上表面上且整体密封设于所述PBGA900基板上表面与塑封管壳之间腔体内；所述eMMC控制器芯片和所述NAND flash存储器芯片采用两层堆叠方式堆叠，连接于所述PBGA900基板表面上且密封设于所述腔体内，在所述PBGA900基板的下表面进行植球。

可选的，所述信号处理核心芯片XC7Z045和所述数据存储芯片DDR3之间通过键合方式电性连接；所述信号处理核心芯片XC7Z045和所述数据存储芯片DDR3堆叠后倒装焊接于所述PBGA900基板上表面。