[实用新型]新型无人投入水式自锁开关电路有效
申请号: | 201922385714.X | 申请日: | 2019-12-26 |
公开(公告)号: | CN211127135U | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 边授权;张星强 | 申请(专利权)人: | 天津力神特种电源科技股份公司 |
主分类号: | H02H11/00 | 分类号: | H02H11/00;H02H7/12;H03K17/96 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 李文洋 |
地址: | 300384 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 无人 投入 开关电路 | ||
本实用新型涉及开关电路技术领域,尤其涉及一种新型无人投入水式自锁开关电路,包括浮力开关S2、断电开关S1、DC‑DC电源以及光电耦合器;通过P沟道MOSFET、DC‑DC、光电耦合器及分压电阻等电子元器件组成的自锁电路,使装置可在水上触发后持续工作,且不再受水波等环境条件影响浮力开关的开闭而中断。
技术领域
本实用新型涉及开关电路技术领域,尤其涉及一种新型无人投入水式自锁开关电路。
背景技术
目前,水上漂浮领域具有广大的发展前景,很多设备采用高空投放式进行水上工作。现有技术所存在的问题使:许多投放式用电设备在入水前不便打开开关、入水过程中引起不必要消耗或入水后受浮力开关影响不能持续工作等问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述技术的不足,而提供一种新型无人投入水式自锁开关电路。
本实用新型为实现上述目的,采用以下技术方案:一种新型无人投入水式自锁开关电路,其特征在于:包括浮力开关S2、断电开关S1、DC-DC电源以及光电耦合器;所述DC-DC电源的第2管脚接肖特基二极管D3的负极,所述肖特基二极管D3的阳极接P沟道MOS管的第2管脚和浮力开关S2的一端,浮力开关S2的另一端分别接电源正极B+、稳压二极管D2的负极、滤波电容C1的一端、电阻R1的一端以及P沟道MOS管的第3管脚,P沟道MOS管的第1管脚分别接电阻R1的另一端、电阻R2D的一端、滤波电容C1的另一端、稳压二极管D2的正极以及断电开关S1的一端,所述断电开关S1的另一端接电源正极B+和瞬态二极管D1的负极,所述瞬态二极管D1的正极分别接电源负极B-、电阻R3的一端和光电耦合器的第3管脚,所述电阻R3的另一端接、电阻R2的另一端、光电耦合器的第4管脚,所述光电耦合器的第1管脚接DC-DC电源的第3管脚,所述光电耦合器的第2管脚通过电阻R4接地,DC-DC电源第4管脚接地,第1管脚接电源负极B-。
本实用新型的有益效果是:
与现有技术相比,通过触发供电自锁电路,实现入水装置的持续有效运行。电路设计合理,控制原理简单,性能安全可靠,成本低、效益高,应用效果非常显著。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
如图1所示,一种新型无人投入水式自锁开关电路,其特征在于:包括浮力开关S2、断电开关S1、DC-DC电源以及光电耦合器;所述DC-DC电源的第2管脚接肖特基二极管D3的负极,所述肖特基二极管D3的阳极接P沟道MOS管的第2管脚和浮力开关S2的一端,浮力开关S2的另一端分别接电源正极B+、稳压二极管D2的负极、滤波电容C1的一端、电阻R1的一端以及P沟道MOS管的第3管脚,P沟道MOS管的第1管脚分别接电阻R1的另一端、电阻R2D的一端、滤波电容C1的另一端、稳压二极管D2的正极以及断电开关S1的一端,所述断电开关S1的另一端接电源正极B+和瞬态二极管D1的负极,所述瞬态二极管D1的正极分别接电源负极B-、电阻R3的一端和光电耦合器的第3管脚,所述电阻R3的另一端接、电阻R2的另一端、光电耦合器的第4管脚,所述光电耦合器的第1管脚接DC-DC电源的第3管脚,所述光电耦合器的第2管脚通过电阻R4接地,DC-DC电源第4管脚接地,第1管脚接电源负极B-。本电路通过P沟道MOSFET、DC-DC、光电耦合器及分压电阻等电子元器件组成的自锁电路,使装置可在水上触发后持续工作,且不再受水波等环境条件影响浮力开关的开闭而中断。通过断电触发开关控制供电主路上的P沟道MOSFET切断,使此装置在贮存时停止电源供电,实现低功耗待机。
在贮存阶段,S2由于自身重力作用处于断开状态。此时,人工按下S1,Q1的GS电压为零,Q1处于切断状态,U2无5V输出电压,故U1的输出端未导通。当S1弹起后,R1与R2、R3串联分压较小,不足以驱动Q1导通,电路保持上述状态,只有R1、R2、R3串联电阻微弱耗电,则装置处于低功耗待机。
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