[实用新型]一种单晶炉保温盖结构

说明书

本实用新型涉及一种单晶炉保温盖结构，包括盖形结构和盖片，盖片设置于盖形结构的盖底，盖片和盖底适配，盖形结构的盖底和盖片均对应设有中心通孔和两个观测窗口，两个观测窗口环绕中心通孔设置。本实用新型的单晶炉保温盖结构，盖形结构可以起到很好的保温作用，下方的盖片可以将单晶炉内的大部分热量反射回炉体，进一步增强保温效果，减小单晶生长的温度梯度。

技术领域

本实用新型属于半导体材料加工设备技术领域，特别涉及一种单晶炉保温盖结构。

背景技术

锗具有优良的光学特性和物理性质，是工业上第一个重要的半导体材料。锗作为重要的高新技术材料，在航空航天工业、高频超高频电子、光纤通讯、红外光学、电子器件、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛的应用。

锗与砷化镓的晶格失配很小，结晶完整性好，机械强度高，易于制备大尺寸单晶，这些特点使得锗单晶在砷化镓空间太阳电池领域得到越来越广泛的应用，成为砷化镓空间太阳电池的主要衬底材料。然而，锗单晶中的位错会影响外延层的质量，从而降低太阳电池的效率以及使用寿命。因此，生长低位错密度的锗单晶至关重要。

在直拉法生长锗单晶的过程中，位错产生的主要原因是由于晶体在生长的过程中产生的热应力。晶体的位错密度受温度梯度的影响，大的温度梯度会产生大的热应力，从而使单晶产生微缺陷，进而产生位错。因此，为了获得低位错的锗单晶，需要小的温度梯度。影响温度梯度的主要决定因素是热场，热场系统包括石墨加热器、石墨坩埚、石墨—碳毡保温罩等。为了得到小的温度梯度，我们需要增强热场系统保温效果。

实用新型内容

本实用新型的目的是为解决以上问题，本实用新型提供一种单晶炉保温盖结构。

一种单晶炉保温盖结构，包括盖形结构和盖片，盖片设置于盖形结构的盖底，盖片和盖底适配，盖形结构的盖底和盖片均对应设有中心通孔和两个观测窗口，两个观测窗口环绕中心通孔设置。

盖形结构包括对合设置的两个半盖，两个半盖的盖底的一端设有盖中间豁口和盖观测豁口，两个盖中间豁口对合形成盖形结构的中心通孔，两个盖观测豁口对合形成盖形结构的其中一个观测窗口，盖形结构的另一观测窗口位于其中一个半盖。

其中，盖片包括对合设置的两个半盖片，两个半盖片的一端设有片中间豁口和片观测豁口，两个片中间豁口对合形成盖片的中心通孔，两个片观测豁口对合形成盖片的观测窗口，盖片的另一观测窗口位于其中一个半盖片。

其中，两个半盖的盖底为半圆形，盖中间豁口和盖观测豁口位于盖底的直线端侧，半盖还设有半环形盖壁，半环形盖壁与半圆形盖底的弧形端侧连接。

其中，盖中间豁口为半圆形，盖观测豁口为长方形。

其中，两个半盖片和片中间豁口均为半圆形，片观测豁口为长方形。

其中，盖观测豁口和片观测豁口均为长度是宽度两倍的长方形。

其中，盖形结构的盖底厚度为10-30mm，盖片的厚度为0.1-0.5mm，中心通孔的直径为100-300mm，观测窗口的边长为100-200mm。

其中，盖片与盖形结构的盖底通过钼丝连接。

本实用新型的单晶炉保温盖结构，盖形结构可以起到很好的保温作用，下方的盖片可以将单晶炉内的大部分热量反射回炉体，进一步增强保温效果，减小单晶生长的温度梯度。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1示出了根据本实用新型实施方式的一种单晶炉保温盖结构的示意图；