[实用新型]一种全波形超声波探伤仪有效

专利信息
申请号: 201922393143.4 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN211453476U 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 杨庆德;项忠栋;庞桥 申请(专利权)人: 杭州欧贲科技有限公司
主分类号: G01N29/04 分类号: G01N29/04;G01N29/24;G01N29/36;G01N29/44
代理公司: 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 代理人: 林捷达
地址: 310000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 波形 超声波 探伤
【权利要求书】:

1.一种全波形超声波探伤仪,其特征在于,包括ARM处理器、现场可编程门阵列和SRAM缓存模块,所述ARM处理器通过FMC接口与所述现场可编程门阵列进行数据传输实现通信,所述现场可编程门阵列和所述SRAM缓存模块之间采用并行接口传输;还包括ADC模块、功率放大电路、超声波探头和显示屏,所述现场可编程门阵列和所述ADC模块通过并行接口实现数据传输,所述现场可编程门阵列发出脉冲控制信号,经过所述功率放大电路输出高压尖脉冲,使得所述超声波探头将电信号转换为声信号,所述超声波探头用于接收声信号并将声信号转化为电信号,电信号经由可变增益放大器实现信号的低噪声放大,放大后的回波信号被送入所述ADC模块实现由模拟信号转换成数字信号的过程,所述现场可编程门阵列用于控制信号和信号的运算处理,处理后的信号通过所述显示屏显示。

2.根据权利要求1所述的一种全波形超声波探伤仪,其特征在于,所述ARM处理器的型号采用的是STM32F767VIT6,所述ARM处理器通过LCD接口与所述显示屏相连,所述ARM处理器和所述SRAM缓存模块采用16bit并行接口,所述现场可编程门阵列的D0-D15端子作为数据线,所述现场可编程门阵列的A0-A18作为地址线,所述现场可编程门阵列的/WR_BUF端子、/CS_BUF、/RD_BUF端子作为控制线,所述现场可编程门阵列的/WR_BUF端子作为写信号,所述现场可编程门阵列的/CS_BUF端子作为片选信号,所述现场可编程门阵列的/RD_BUF端子作为读信号。

3.根据权利要求1所述的一种全波形超声波探伤仪,其特征在于,所述ARM处理器的BOOTO端子通过电阻R65接地,所述ARM处理器的VREF+端子、VBAT端子、VDDA端子、VDD端子均连有3.3V直流电压,所述ARM处理器的VREF+端子通过电容C36接地,所述ARM处理器的VCAP_1端子通过电容C54接地,所述ARM处理器的VCAP_2端子通过电容C55接地,所述ARM处理器的VDDA端子通过电容C45接地,所述ARM处理器的VDD端子通过电容C46接地。

4.根据权利要求1所述的一种全波形超声波探伤仪,其特征在于,所述现场可编程门阵列的D0-D9端子分别和所述ADC模块的ADD0-ADD9端子相连,所述现场可编程门阵列的CLK端子和所述ADC模块的ENCODE端子相连,所述现场可编程门阵列的PWRDN端子和所述ADC模块的PWRDN端子相连。

5.根据权利要求1所述的一种全波形超声波探伤仪,其特征在于,所述ARM处理器通过EMMC总线协议连有EMMC存储器,所述EMMC存储器的VDDI端子通过并联电容C67和电容C68接地,所述ARM处理器的RFU/VSS4通过电阻R68接地,所述ARM处理器的RFU/VSS5通过电阻R69接地,所述ARM处理器的VCC1-VCC4端子均连有3.3V直流电压,所述ARM处理器的VCC1端子通过有极电容C69接地,且所述ARM处理器的VCC1端子通过电阻R115和所述ARM处理器的VCCQ1相连,所述ARM处理器的VCC1端子通过电阻R117和所述ARM处理器的VCCQ1相连。

6.根据权利要求1所述的一种全波形超声波探伤仪,其特征在于,ARM处理器采用USB接口连接有PC机,所述ARM处理器将数据上传所述PC机进行进一步的分析和处理。

7.根据权利要求1所述的一种全波形超声波探伤仪,其特征在于,所述现场可编程门阵列的型号采用的是EP4CE22F17C8N。

8.根据权利要求1所述的一种全波形超声波探伤仪,其特征在于,所述SRAM缓存模块的型号采用的是IS61LV51216。

9.根据权利要求1所述的一种全波形超声波探伤仪,其特征在于,所述可变增益放大器的型号采用的是AD8332。

10.根据权利要求5所述的一种全波形超声波探伤仪,其特征在于,所述EMMC存储器的型号设置为KLMCG8GEAC-B001。

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