[实用新型]一种利用双层表面等离激元增强LED发光效率的结构

权利要求书

1.一种利用双层表面等离激元增强LED发光效率的结构，其特征在于：包括基底层（1），所述基底层（1）上方设置有缓冲层（2），所述缓冲层（2）的上方设置有第一氮化镓层（3），所述第一氮化镓层（3）的上方设置有第一电极（4）、第二氮化镓层（5），第一电极（4）与第二氮化镓层（5）相互间隔，所述第二氮化镓层（5）的上表面设置有第一微纳金属颗粒层（8），第二氮化镓层（5）的上方设置有多重量子阱层（6），所述多重量子阱层（6）的上方设置有第三氮化镓层（7），所述第三氮化镓层（7）的下表面设置有第二微纳金属颗粒层（9），所述第三氮化镓层（7）的上方设置有第二电极（10）。

2.如权利要求1所述的一种利用双层表面等离激元增强LED发光效率的结构，其特征在于：所述多重量子阱层（6）的厚度为40nm～50nm。

3.如权利要求1所述的一种利用双层表面等离激元增强LED发光效率的结构，其特征在于：所述缓冲层（2）是由氮化镓或者氮化铝低温生长制成。

4.如权利要求1所述的一种利用双层表面等离激元增强LED发光效率的结构，其特征在于：所述多重量子阱层（6）是由In_xGa_1-xN或GaN中的一种制成，或者是由In_xGa_1-xN层与GaN层交替组成的多层结构。

5.如权利要求1所述的一种利用双层表面等离激元增强LED发光效率的结构，其特征在于：所述第一氮化镓层（3）是由未掺杂的氮化镓制成。

6.如权利要求1所述的一种利用双层表面等离激元增强LED发光效率的结构，其特征在于：所述第二氮化镓层（5）是由N型掺杂的氮化镓制成。

7.如权利要求1所述的一种利用双层表面等离激元增强LED发光效率的结构，其特征在于：所述第三氮化镓层（7）是由P型掺杂的氮化镓制成。

8.如权利要求7所述的一种利用双层表面等离激元增强LED发光效率的结构，其特征在于：所述第二电极（10）是金属氧化物透明导电薄膜制成。

9.如权利要求7所述的一种利用双层表面等离激元增强LED发光效率的结构，其特征在于：所述基底层（1）是由硅制成。