[实用新型]一种电源防反接保护电路

权利要求书

1.一种电源防反接保护电路，其特征在于，连接于电源输入端和被保护电路之间，用于当所述电源输入端接入正向电源电压时，所述防反接保护电路导通，所述电源输入端与所述被保护电路之间后呈现通路；当所述电源输入端接入反向电源电压时，所述防反接保护电路断开，所述电源输入端与所述被保护电路之间呈现断路，以进行防反接保护；

所述电源输入端包括电压正输入端和电压负输入端，当电源的正极与所述电压正输入端相连且电池的负极与所述电压负输入端相连时，为电源正向连接；当电源的正极与所述电压负输入端相连且电源的负极与所述电压正输入端相连时，为电源反向连接；

所述防反接保护电路包括：

报警模块和开关模块，所述报警模块连接至所述电压正输入端与所述电压负输入端之间，所述开关模块与所述报警模块并联，当电源正向连接时，所述报警模块截止，所述开关模块导通，由所述防反接保护电路提供电压，为所述被保护电路供电；当电源反向连接时，所述报警模块导通并发出警报，所述开关模块截止，所述防反接保护电路截止供电；

所述开关模块包括与串接于所述电源输入端与所述被保护电路之间的场效应管，电压偏置电路、分压电路、尖峰吸收电路、与所述场效应管电连接的软启动电路，所述电压偏置电路与所述场效应管的栅极电连接，用于在电源正向连接时对所述场效应管进行导通偏置，所述分压电路与所述场效应管的栅极电连接，用于为所述场效应管的栅极提供分压，所述尖峰吸收电路连接在所述场效应管源极和漏极的两端。

2.根据权利要求1所述的电源防反接保护电路，其特征在于：

所述场效应管为NMOS管或PMOS管。

3.根据权利要求2所述的电源防反接保护电路，其特征在于：

所述NMOS管的漏极与所述电压负输入端电连接，所述NMOS管的源极通过电压负输出端连接至所述被保护电路的NMOS元件的衬底。

4.根据权利要求3所述的电源防反接保护电路，其特征在于：

所述电压偏置电路包括电压偏置电阻，所述电压偏置电阻的一端与所述NMOS管的栅极电连接，所述电压偏置电阻的另一端连接在所述电压正输入端与电压正输出端之间。

5.根据权利要求2所述的电源防反接保护电路，其特征在于：

所述尖峰吸收电路包括电容C2以及电阻R3，所述电容C2的一端连接在所述电压正输入端与所述NMOS管的漏极之间，所述电容C2的另一端与所述电阻R3的一端电连接，所述电阻R3的另一端与所述NMOS管的源极电连接。

6.根据权利要求2所述的电源防反接保护电路，其特征在于：

所述分压电路包括分压电阻，所述分压电阻的两端分别连接至所述NMOS管的栅极和漏极之间。

7.根据权利要求6所述的电源防反接保护电路，其特征在于：

所述防反接保护电路还包括二极管VZ1，所述二极管VZ1的两端通过所述分压电阻分别连接至所述NMOS管的栅极和漏极之间。

8.根据权利要求7所述的电源防反接保护电路，其特征在于：

所述软启动电路包括电容C1，所述电容C1的两端通过所述二极管VZ1、所述分压电阻分别连接至所述NMOS管的栅极和漏极之间。

9.根据权利要求1至8任一项所述的电源防反接保护电路，其特征在于：

所述电源防反接保护电路还包括ESD保护电路，所述ESD保护电路连接于电源输入端和所述被保护电路之间，用于对所述被保护电路进行ESD保护。

10.根据权利要求1至8任一项所述的电源防反接保护电路，其特征在于：

所述报警模块包括相互并联的蜂鸣器和发光二极管，以及与所述蜂鸣器串联的续流二极管，所述蜂鸣器的正极连接于所述电压负输入端，所述蜂鸣器的负极连接于所述电压正输入端，所述发光二极管的正极连接于所述电压负输入端，所述发光二极管的负极连接于所述电压正输入端，当所述电源正向连接时，所述蜂鸣器截止，所述发光二极管截止熄灭；当所述电源反向连接时，所述蜂鸣器导通并发声，所述发光二极管导通发光。