[实用新型]一种激光电池芯片参数的测试装置有效
| 申请号： | 201922401785.4 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN210837659U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 谢永桂;宋婷;宋娉 | 申请（专利权）人： | 西安航谷微波光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光 电池 芯片 参数 测试 装置 | ||
1.一种激光电池芯片参数的测试装置，其特征在于，包括光学平板和设于光学平板上的用于放置待测试芯片的圆片的载片移动台，在光学平板上设有一对三轴高精度移动平台，一对三轴高精度移动平台上夹持有一对POGO PIN，一对POGO PIN的底端部分别扎在待测试圆片的芯片上；还包括一个连接一对POGO PIN的晶体管特性图示仪和一个体视显微镜；通过体视显微镜观测一对POGO PIN设在待测试圆片上芯片的区域，通过一对POGO PIN测试待测试圆片，并通过晶体管特性图示仪显示待测试芯片的电参数性能。
2.根据权利要求1所述的一种激光电池芯片参数的测试装置，其特征在于，一对三轴高精度移动平台固定在光学平板上，并分別置于载片移动台两边。
3.根据权利要求1所述的一种激光电池芯片参数的测试装置，其特征在于，一对三轴高精度移动平台分别为POGO PIN1三轴高精度移动平台和POGO PIN2三轴高精度移动平台，POGO PIN1三轴高精度移动平台上端侧壁连接POGO PIN1；POGO PIN2三轴高精度移动平台上端侧壁连接POGO PIN2。
4.根据权利要求3所述的一种激光电池芯片参数的测试装置，其特征在于，POGO PIN1底部尖端扎在待测试芯片N区上，POGO PIN2底部尖端扎在待测试芯片P区上。
5.根据权利要求1所述的一种激光电池芯片参数的测试装置，其特征在于，所述晶体管特性图示仪包括Y区测量电流区和X区测量电压区，通过连接图示仪e极导线和连接图示仪c极导线分别连接POGO PIN1和POGO PIN2。
6.根据权利要求1所述的一种激光电池芯片参数的测试装置，其特征在于，所述POGOPIN的探针尖端直径为25μm。
7.根据权利要求1所述的一种激光电池芯片参数的测试装置，其特征在于，所述载片移动台的面积应大于待测试圆片的直径。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
