[实用新型]一种MEMS芯片

说明书

本实用新型公开一种MEMS芯片，所述MEMS芯片包括：具有背腔的衬底，以及设置在衬底上的平板电容器组；所述平板电容器组至少包括第一平板电容器结构和位于所述第一平板电容器结构下方位置且与第一平板电容器结构呈平行布置的第二平板电容器结构；所述第一平板电容器结构包括有第一振膜和第一背极；所述第二平板电容器结构包括有第二振膜和第二背极。本实用新型提供的MEMS芯片的第一平板电容器和第二平板电容器可形成差分电容以改善线性失真，提高抑制线性失真的能力，增强MEMS芯片的性能。

技术领域

本实用新型涉及电声产品技术领域，更具体地，本实用新型涉及一种MEMS芯片。

背景技术

传统的MEMS芯片包括衬底以及固定在衬底上的振膜和背极，振膜和背极之间具有一定的间隙，振膜、背极构成了电容器并集成在硅晶片上，通过振膜的振动，改变振膜与背极之间的距离，从而将声音信号转换为电信号。

随着时代的发展，科学技术的进步，各种消费电子类产品更新换代的步伐加快，对于MEMS芯片来讲，芯片的应用环境也越来越复杂，以此便需要MEMS芯片具有更小的线性失真。目前现有技术中的单背极结构的MEMS芯片的线性度较低，谐波失真较大；而且感性振膜在振动的时候，或者在进行跌落测试的时候，经常会发生振膜与背极黏连的问题，进而影响MEMS芯片的性能。

因此，为了克服现有技术存在的缺陷，需要提供一种新型的MEMS芯片。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种MEMS芯片，可有效改善线性失真，提高抑制线性失真的能力，增强MEMS芯片的性能。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种MEMS芯片，所述MEMS芯片包括：具有背腔的衬底，以及设置在衬底上的平板电容器组；所述平板电容器组至少包括第一平板电容器结构和位于所述第一平板电容器结构下方位置且与第一平板电容器结构呈平行布置的第二平板电容器结构；所述第一平板电容器结构包括有第一振膜和第一背极；所述第二平板电容器结构包括有第二振膜和第二背极。

此外，优选的方案为，所述第一振膜和/或第二振膜包括有泄气结构。

此外，优选的方案为，所述第一振膜和第二振膜之间形成有密闭空间。

此外，优选的方案为，所述第一背极和第一振膜之间设置有用于限制所述第一振膜朝向第一背极方向变形的第一限位部；所述第二背极和第二振膜之间设置有用于限制所述第二振膜朝向第二背极方向变形的第二限位部。

此外，优选的方案为，所述第一背极位于所述第一振膜的远离所述第二平板电容器结构的一侧，所述第二振膜位于第二背极的远离所述第一平板电容器结构的一侧。

此外，优选的方案为，所述第一振膜与所述第二背极之间的间距分别大于所述第一振膜与所述第一背极之间的间距、所述第二振膜与所述第二背极之间的间距。

此外，优选的方案为，所述第一振膜位于所述第一背极的远离所述第二平板电容器结构的一侧，所述第二振膜位于所述第二背极的远离所述第一平板电容器结构的一侧。

此外，优选的方案为，所述第一背极和第二背极之间的间距分别大于所述第一振膜与第一背极之间的间距、所述第二振膜与第二背极之间的间距。

此外，优选的方案为，所述第一背极位于所述第一振膜的远离所述第二平板电容器结构的一侧，所述第二背极位于所述第二振膜的远离所述第一平板电容器结构的一侧。

此外，优选的方案为，所述第一振膜和第二振膜之间的间距分别大于所述第一振膜与所述第一背极之间的间距、所述第二振膜与第二背极之间的间距。

本实用新型的有益效果如下：