[实用新型]一种制备单晶的装置

权利要求书

1.一种制备单晶的装置，包括坩埚、加热线圈组和保温结构，所述坩埚形成生长腔，所述生长腔内设置籽晶，所述保温结构包括与所述籽晶对应位置设置测温孔的上保温结构，其特征在于，

所述装置还包括调节机构，所述调节机构包括保温环组，所述保温环组的外径与所述测温孔的内径相同，所述保温环组的中心设置通孔，所述保温环组包括多个内径递减的保温环，所述调节机构能够将内径由大至小的所述保温环放入所述测温孔，以减小所述测温孔的开口面积，进而调节所述生长腔内的径向温度梯度。

2.根据权利要求1所述的制备单晶的装置，其特征在于，所述保温环包括保温环主体和保温环主体内壁设置的向内延伸的支撑台，所述支撑台设置在所述保温环主体的底部，所述支撑台的厚度不大于5mm。

3.根据权利要求1所述的制备单晶的装置，其特征在于，所述调节机构还包括调节室和第一输送机构；

所述调节室与所述测温孔连通，所述调节室设置石英窗，所述石英窗与所述测温孔光路连接，设以使用设置在石英窗外的非接触式测温计测量所述测温孔的温度；

所述第一输送机构将所述保温环组输送至所述测温孔内。

4.根据权利要求3所述的制备单晶的装置，其特征在于，

所述石英窗设置在所述调节室顶部，所述石英窗与所述测温孔相对设置；

所述保温环组设置在所述调节室内，所述保温环组包括沿其轴向分体设置的分体保温环组；

所述第一输送机构包括设置在所述调节室外的操作部和，设置在所述调节室内的推送部；沿所述推送部与所述测温孔方向，放置的所述分体保温环的内径递增；控制操作部带动所述推送部推动所述分体保温环依次进入所述测温孔内。

5.根据权利要求3所述的制备单晶的装置，其特征在于，所述调节机构还包括缓冲室，所述缓冲室与所述调节室之间设置第一阀门；

所述缓冲室连接气路系统和设置加热件，以控制所述缓冲室与所述生长腔的温度和环境气体相同；

所述第一输送机构设置为机械手，所述机械手将获取的所述保温环输送至所述缓冲室后，待所述保温环的温度与所述调节室的温度相同时，打开所述第一阀门，机械手将所述保温环放置在所述测温孔内；

所述石英窗设置在所述调节室的侧壁，所述调节室内设置反光镜以将所述非接触式测温计与所述测温孔光路连接。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备单晶的装置，其特征在于，所述加热线圈组围绕所述坩埚的侧壁设置，

所述加热线圈组包括与原料区对应设置的第一线圈组和，与长晶区对应设置的第二线圈组，

沿自原料至籽晶的方向，所述第二线圈组的内径增大。

7.根据权利要求6所述的制备单晶的装置，其特征在于，所述第一线圈组的内径相同。

8.根据权利要求6所述的制备单晶的装置，其特征在于，所述坩埚与所述加热线圈组共中心轴线，同一高度的所述加热线圈组的内壁与所述坩埚外侧壁的距离相等。

9.根据权利要求6所述的制备单晶的装置，其特征在于，所述加热线圈组为中空圆柱形，所述坩埚为圆柱形。

10.根据权利要求6所述的制备单晶的装置，其特征在于，所述第二线圈组的内径连续增大，所述第二线圈组的侧壁与所述坩埚的中轴线的夹角为10-45°。