[实用新型]VCSEL偏置电路及相关设备

权利要求书

1.一种垂直腔面激光发射器VCSEL偏置电路，其特征在于，包括：差分电路、电阻Rd、电阻Rt、PMOS晶体管M0、参考电压源Vref、调制电流源、运算放大器、滤波电阻Rf、滤波电容Cf和激光二极管；

所述PMOS晶体管M0的源极连接至直流电压源VCC，所述PMOS晶体管M0的漏极连接至所述电阻Rd的第一端口、所述电阻Rt的第一端口和所述参考电压源Vref的正极，所述参考电压源Vref的负极连接至所述运算放大器的同相输入端，所述运算放大器的输出端口连接至所述PMOS晶体管M0的栅极，所述电阻Rd的第二端口连接至所述差分电路的第一端口，所述电阻Rt的第二端口连接至所述差分电路的输出端口，所述差分电路的输出端口连接至所述激光二极管的阳极和所述滤波电阻Rf的第一端口，所述滤波电阻Rf的第二端口连接至所述运算放大器的反相输入端和所述滤波电容Cf的第一端口，所述差分电路的第二端口连接至所述调制电流源的正极，所述调制电流源的负极、所述激光二极管的阴极和所述滤波电容Cf的第二端口均接地；

当所述运算放大器、所述PMOS晶体管M0、所述电阻Rt、所述参考电压源Vref、所述滤波电阻Rf和所述滤波电容Cf构成的反馈回路稳定时，所述运算放大器的同相输入端的电压和反相输入端的电压相等；

当所述差分电路的第一输入端口和第二输入端口之间的电压为第一电压时，所述激光二极管上的电流Ivcsel＝Ibias，

当所述差分电路的第一输入端口和第二输入端口之间的电压为第二电压时，所述激光二极管上的电流Ivcsel＝Ibias-Imod；

其中，所述第一电压大于第二电压，所述Ibias＝Vref/Rt，所述Imod为所述调制电流源的输出电流，所述参考电压源Vref为输出电压可调节的电压源。

2.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，差分电路包括：三极管Q0、三极管Q1、电阻R0和电阻R1

其中，所述三极管Q0的集电极和基极分别为所述差分电路的第一端口和第一输入端口，所述三极管Q1的集电极和基极分别为所述差分电路的输出端口和第二输入端口，所述三极管Q0的发射极与所述电阻R0的第一端口相连接，所述三极管Q1的发射极与所述电阻R1的第二端口相连接，所述电阻R0的第二端口和所述电阻R1的第一端口均连接至所述调制电流源的正极；

当所述差分电路的第一输入端口和第二输入端口之间的电压为所述第一电压时，所述三极管Q0处于导通状态，所述三极管Q1处于关闭状态；

当所述差分电路的第一输入端口和第二输入端口之间的电压为所述第二电压时，所述三极管Q0处于关闭状态，所述三极管Q1处于导通状态。

3.根据权利要求1或2所述的偏置电路，其特征在于，所述滤波电阻Rf和所述滤波电容Cf构成的时间常数大于预设时长，所述预设时长为所述第一电压或者第二电压的输入时长。

4.根据权利要求1或2所述的偏置电路，其特征在于，所述滤波电阻Rf的阻值远远大于所述电阻Rt的阻值。

5.根据权利要求3所述的偏置电路，其特征在于，所述滤波电阻Rf的阻值远远大于所述电阻Rt的阻值。