[实用新型]前照式图像传感器

说明书

实用新型公开了前照式图像传感器，顶层金属层以及顶层金属层之间的若干凹槽区域；位于像素单元顶层金属层凹槽区域的嵌入式的彩色滤光膜层；在像素单元区域顶层金属层之间的凹槽区域形成嵌入式的彩色滤光膜层，从而降低前照式图像传感器不同像素单元之间的光学串扰，提高图像传感器的性能。

技术领域

本实用新型涉及图像传感器领域，尤其涉及一种前照式图像传感器。

背景技术

图像传感器是能够感受光学图像信息并将其转换成电学输出信号的传感器，是组成数字摄像头的重要组成部分。根据元件的不同，可分为CCD（Charge Coupled Device，电荷耦合元件）和CMOS（Complementary Metal-OxideSemiconductor，金属氧化物半导体元件）两大类。

CMOS图像传感器具有工艺简单、易与其他器件集成、体积小、重量轻、功耗小、成本低等优点。因此，随着技术发展，CMOS图像传感器越来越多地取代CCD图像传感器应用于各类电子产品中。目前CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、照相手机、数码摄像机、医疗用摄像装置（例如胃镜）、车用摄像装置等。CMOS图像传感器产品可分为FSI（FrontSide Illumination，前照式）和BSI（Back Side Illumination，背照式）。

目前前照式图像传感器在光程路径的长度、相邻像素单元的串扰等性能问题上，需要进行优化，是业内亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是如何优化前照式图像传感器的器件结构，提高前照式图像传感器的性能；为此，

本实用新型还提供了一种前照式图像传感器，其包括：

顶层金属层以及顶层金属层之间的若干凹槽区域；

位于像素单元顶层金属层凹槽区域的嵌入式的彩色滤光膜层。

优选的，所述顶层金属层的厚度为：2000埃至6000埃。

优选的，所述顶层金属层的顶面依次设置有：部分金属互联介质层、硬掩模层。

优选的，所述顶层金属层的表面设置有：硬掩模层。

优选的，所述硬掩模层的厚度为：100埃至1000埃。

优选的，所述硬掩模层为：SiN，SiON，SiC, SiNC, SiONC中的任意一种或多种组合。

本实用新型，通过工艺方式实现形成嵌入式的彩色滤光膜层，可以：

1）通过像素单元区域顶层金属层之间的凹槽区域的使用，降低光学串扰；

2）通过像素单元区域顶层金属层之间的凹槽区域的使用，可实现前照式图像传感器的嵌入式彩色滤光膜层结构；

3）通过像素单元区域顶层金属层之间的凹槽区域的使用，使得彩色滤光膜层嵌入其中，避免像素区域与逻辑区域的台阶处光学响应异常;

4）此像素单元区域顶层金属层之间的凹槽区域是在顶层金属层刻蚀的时候形成的，不需要增加额外的制造成本。

附图说明

图1为本实用新型涉及的前照式图像传感器的像素阵列区域特定步骤后的侧面结构剖视图；

图2为本实用新型涉及的前照式图像传感器的像素阵列区域特定步骤后的俯视图；

图3至6是本实用新型涉及的前照式图像传感器的第一实施例的形成方法中各步骤的结构示意图；

图7至11是本实用新型涉及的前照式图像传感器的第二实施例的形成方法中各步骤的结构示意图。

具体实施方式