[实用新型]一种掺杂结构及光调制器

权利要求书

1.一种掺杂结构，其特征在于：包括基板、第一半导体、第二半导体，所述基板用于承载所述第一半导体、第二半导体以及第一半导体外接电极、第二半导体外接电极；所述第一半导体、第二半导体水平交叉排列为至少一层；所述第一半导体与第二半导体交界面形成耗散区。

2.根据权利要求1所述的掺杂结构，其特征在于：所述第一半导体、第二半导体交叉排列两层；第一层为第一半导体、第二半导体交错排列；第一半导体上为第二半导体，且有一定错位便于第二层上的第二半导体与第一层上的第二半导体接触并电连通。

3.根据权利要求1或2所述的掺杂结构，其特征在于：所述第一半导体为P型掺杂半导体，所述第二半导体为N型掺杂半导体。

4.根据权利要求3所述的掺杂结构，其特征在于：所述第一半导体外接电极包括第一掺杂区、第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区邻接，所述第二半导体外接电极包括第五掺杂区、第六掺杂区，所述第五掺杂区、第六掺杂区邻接；所述第二掺杂区与第五掺杂区之间为主掺杂区，所述主掺杂区由第三掺杂区与第四掺杂区组成，所述第三掺杂区与所述第四掺杂区交界面形成PN结。

5.根据权利要求4所述的掺杂结构，其特征在于：所述主掺杂区为光调制区，通电后用作调制波导。

6.根据权利要求5所述的掺杂结构，其特征在于：所述调制波导在光传播方向上可以是直波导或弯曲波导。

7.根据权利要求1所述的掺杂结构，其特征在于：所述基板为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

8.根据权利要求1所述的掺杂结构，其特征在于：所述第一半导体为硅单晶掺杂三族或五族元素中的一种，所述第二半导体为硅单晶掺杂三族或五族元素中的另一种。

9.一种光调制器，其特征在于：包括至少一个波导，所述波导包括权利要求1-7中任一项掺杂结构；所述光调制器还包括分波单元、合波单元；所述分波单元设置在所述波导光输入端，所述合波单元设置在所述波导的光输出端。

10.根据权利要求9所述的光调制器，其特征在于：所述波导外接一驱动电路。