[实用新型]一种激光拆键合设备有效
申请号: | 201922441703.9 | 申请日: | 2019-12-28 |
公开(公告)号: | CN211088205U | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 蔡有汉;林小波;乔磊 | 申请(专利权)人: | 深圳中科光子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K26/36;B23K26/064;B23K26/046 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 曹卫良 |
地址: | 518000 广东省深圳市光*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 拆键合 设备 | ||
本实用新型公开了一种激光拆键合设备,包括:固定架,所述固定架用于固定激光加工装置;激光加工装置,所述激光加工装置安装在固定架上,所述激光加工装置用于对键合胶进行去胶处理;光学测距装置,所述光学测距装置安装在所述激光加工装置的加工部件上,所述光学测距装置用于测量加工部件与晶圆键合胶之间的距离;夹持装置,所述夹持装置安装在固定架上,所述夹持装置用于定位晶圆片;控制系统,所述控制系统与激光加工装置和夹持装置连接,所述控制系统用于控制激光加工装置和夹持装置。本实用新型采用激光“冷”加工特性,通过将激光束整形处理后作用到键合胶层上,使得键合胶失粘。
技术领域
本实用新型涉及拆键合技术领域,具体地涉及一种激光拆键合设备。
背景技术
晶圆拆键合的技术已提出多年,但选择上仍未成熟。目前主要技术方式有机械拆键合、热滑移拆键合、高功率激光拆键合、化学拆键合。
(1)机械拆键合
机械拆键主要利用机械托盘和气流等手段实现胶层剥离,其特点为可在室温条件下进行,晶圆厚度可到50μm以下,但良率较低,设备昂贵,且对临时键合材料要求较高。
(2)热滑移拆键合
热滑移拆主要利用加热剥离方式,设备价格相对较低,但难以实现100μm厚度以下的超薄晶圆制造,持续高温对产品损伤大,良率低,材料综合物性要求高并且对临时键合材料综合物性要求高。
(3)高功率激光拆键合
高功率激光拆键原理是激光照射胶合胶,利用光热转换机理实现胶层的剥离,当前主要工艺是应用紫外激光实现胶合剥离,高功率紫外激光器价格昂贵。
(4)化学拆键合
化学溶剂拆键合主要采用化学溶剂溶解方式实现胶层的去除,其特点是对设备依赖性小,成本低,但生产效率低,良率低,工艺应用受产品局限,穿孔基底设计要求高。
综上所述,以上传统拆键合方法都存在比较大的缺点。
实用新型内容
本实用新型提供一种激光拆键合设备,解决了传统的拆键合方法良率较低,设备昂贵,对临时键合材料综合物性以及工艺性能要求高等缺点。
为了实现根据本实用新型的这些目的和其他优点,提供了一种激光拆键合设备,包括:固定架,所述固定架用于固定激光加工装置;激光加工装置,所述激光加工装置安装在固定架上,所述激光加工装置用于对键合胶进行去胶处理;光学测距装置,所述光学测距装置安装在所述激光加工装置的加工部件上,所述光学测距装置用于测量加工部件与晶圆键合胶之间的距离;夹持装置,所述夹持装置安装在固定架上,所述夹持装置用于定位晶圆片;控制系统,所述控制系统与激光加工装置和夹持装置连接,所述控制系统用于控制激光加工装置和夹持装置。
优选的是,所述固定架包括基架、设置在基架上的立柱、设置在立柱上的横梁;其中,所述控制系统安装在所述基架下方。
优选的是,所述激光加工装置包括用于发射激光束的激光器、改变激光束直径和发散角的可调扩束镜、激光束进行整形和光参量控制的变形镜、改变激光加工装置大小的反射镜、控制激光束路径的振镜组件以及用于加工的聚焦镜。
优选的是,所述振镜组件包括用于控制振镜的振镜驱动、用于控制所述变形镜的变形镜驱动、用于控制所述振镜驱动和变形镜驱动的控制器、以及控制控制器的上位软件。
优选的是,还包括用于控制聚焦镜上下移动的Z轴驱动机构,所述Z轴驱动机构与控制系统连接。
优选的是,所述光学测距装置还可以用于测量键合胶的厚度。
优选的是,所述夹持装置包括设立在基架上的底板、设立在底板上的X/Y轴驱动机构;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳中科光子科技有限公司,未经深圳中科光子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922441703.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种微显示器件及投影系统
- 下一篇:多片水平放置晶圆盒及隔离环
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造