[实用新型]一种浪涌电流抑制电路

说明书

本实用新型提出了一种浪涌电流抑制电路，包括MOS管S1、三极管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C2、电容C3，大电容C1并联在直流电的直流母线上，MOS管S1串联在所述直流母线上且所述直流母线的负极、MOS管S1的源极均接地，所述直流母线正极依次经电阻R1、三极管Q1的发射极、三极管Q1的集电极与MOS管S1的栅极相连，所述直流母线正极还与三极管Q1的基极相连，三极管Q1发射极、电阻R1的公共端经电容C2与MOS管S1的漏极相连，电阻R2与电容C2并联，MOS管S1的栅极还经电容C3与其源极相连，电阻R3与电容C3并联。本实用新型相比于传统电路，电路上电的延迟时间短并且延迟时间合适，既抑制了浪涌电流，也避免了造成电路上电时间过长。

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种浪涌电流抑制电路。

背景技术

电力电子电路中常用到大电容，如整流器的输出端并联大电容可避免电路的后级输入产生振荡并进行阻抗匹配。但是并联大电容的容量越大，电路的上电速度越快，会在上电瞬间产生很大的浪涌电流，会影响大电容的可靠性。一般会在直流母线上串联MOS管以抑制浪涌电流，但MOS管的导通时间长会导致电路的上电时间长，电路快速重复上电时可能会导致MOS管始终保持导通状态，造成浪涌抑制失败。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出了一种浪涌电流抑制电路，以解决传统浪涌电流抑制电路导致并联大电容的电力电子电路上电时间长、会出现浪涌抑制失败的问题。

本实用新型的技术方案是这样实现的：本实用新型提供了一种浪涌电流抑制电路，包括MOS管S1、三极管Q1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C2、电容C3，大电容C1并联在直流电的直流母线上，MOS管S1串联在所述直流母线上且所述直流母线的负极、MOS管S1的源极均接地，所述直流母线正极依次经电阻R1、三极管Q1的发射极、三极管Q1的集电极与MOS管S1的栅极相连，所述直流母线正极还与三极管Q1的基极相连，三极管Q1发射极、电阻R1的公共端经电容C2与MOS管S1的漏极相连，电阻R2与电容C2并联，MOS管S1的栅极还经电容C3与其源极相连，电阻R3与电容C3并联。

可选的，所述浪涌电流抑制电路还包括电阻R4，电阻R4接入三极管Q1集电极与MOS管S1栅极之间。

可选的，所述浪涌电流抑制电路还包括稳压管D3，MOS管S1的栅极还经稳压管D3的负极、稳压管D3的正极与其源极相连。

可选的，所述浪涌电流抑制电路还包括稳压管D1，稳压管D1接入所述直流母线正极与三极管Q1基极之间且稳压管D1的正极与与三极管Q1的基极相连。

可选的，所述浪涌电流抑制电路还包括二极管D2，二极管D2接入所述直流母线正极与稳压管D1之间且二极管D2的负极与稳压管D1的负极相连。

可选的，所述浪涌电流抑制电路还包括电阻R5，稳压管D1正极、三极管Q1基极的公共端经电阻R5接地。

可选的，所述浪涌电流抑制电路还包括电容C4，电容C4与电阻R5并联。

可选的，所述浪涌电流抑制电路还包括三极管Q2、电阻R6、电阻R7、电阻R8，稳压管D1正极、三极管Q1基极的公共端依次经三极管Q2的集电极、三极管Q2的发射极、电阻R8接地，三极管Q2的基极经电阻R6与三极管Q2的集电极相连，三极管Q2的基极还经电阻R7接地。

本实用新型的浪涌电流抑制电路相对于现有技术具有以下有益效果：

(1)本实用新型的浪涌电流抑制电路相比于传统电路，电路上电的延迟时间短并且延迟时间合适，既抑制了浪涌电流，也避免了造成电路上电时间过长；

(2)本实用新型的浪涌电流抑制电路中，浪涌吸收电容可快速放电，避免MOS管S1始终保持导通状态，避免了浪涌抑制失败。

附图说明