[实用新型]一种基于束状结构的磁场检测的光纤传感器有效

专利信息
申请号: 201922445454.0 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN211653112U 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 李东红;葛云帆;曹钦炀;秦玉兰;肖美岑 申请(专利权)人: 苏州德睿电力科技有限公司
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 赖婉婷
地址: 215600 江苏省苏州市张*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 束状 结构 磁场 检测 光纤 传感器
【权利要求书】:

1.一种基于束状结构的磁场检测的光纤传感器,所述光纤传感器包括用于偏振光输入的输入光纤及用于偏振光输出的输出光纤,其特征在于:所述光纤传感器还包括熔接在所述输入光纤和输出光纤之间的束状光纤结构,所述束状光纤结构包括两端相互熔接的顺磁光纤和逆磁光纤,所述顺磁光纤、逆磁光纤中的一个部件的另一端与所述输入光纤熔接,另一个部件的另一端与所述输出光纤熔接,所述顺磁光纤为掺杂顺磁材料的光纤,所述逆磁光纤为掺杂逆磁材料的光纤。

2.根据权利要求1所述的基于束状结构的磁场检测的光纤传感器,其特征在于:所述顺磁光纤与逆磁光纤的长度相同。

3.根据权利要求2所述的基于束状结构的磁场检测的光纤传感器,其特征在于:所述束状光纤结构包括一个或N个束状光纤单元,各所述束状光纤单元由一个所述顺磁光纤和一个所述逆磁光纤的端部相互熔接构成,当所述束状光纤单元为N个时,N个所述束状光纤单元串联熔接,且按所述顺磁光纤与逆磁光纤连接的方式熔接,所述N为大于1的整数。

4.根据权利要求3所述的基于束状结构的磁场检测的光纤传感器,其特征在于:所述束状光纤单元为一个时,所述顺磁光纤和逆磁光纤在熔接处对折,使得所述顺磁光纤和逆磁光纤相互靠拢且平行设置。

5.根据权利要求3所述的基于束状结构的磁场检测的光纤传感器,其特征在于:所述束状光纤单元为N个时,相邻所述顺磁光纤和逆磁光纤在熔接处分别对折,使得相邻的所述顺磁光纤和逆磁光纤相互靠拢且平行设置,折叠后,所有所述顺磁光纤和逆磁光纤相互平行且相互靠拢。

6.根据权利要求1所述的基于束状结构的磁场检测的光纤传感器,其特征在于:所述顺磁光纤为掺杂顺磁材料的单模光纤,所述逆磁光纤为掺杂逆磁材料的单模光纤。

7.根据权利要求1所述的基于束状结构的磁场检测的光纤传感器,其特征在于:所述输入光纤、输出光纤分别为单模光纤。

8.根据权利要求1~7中任一项权利要求所述的基于束状结构的磁场检测的光纤传感器,其特征在于:当所述光纤传感器用于磁场检测时,磁场方向与所述光纤传感器的顺磁光纤和逆磁光纤的延伸方向相平行。

9.根据权利要求1~7中任一项权利要求所述的基于束状结构的磁场检测的光纤传感器,其特征在于:当所述光纤传感器用于磁场检测时,偏振光经过所述顺磁光纤和逆磁光纤的偏振角方向相反,磁场方向与所述顺磁光纤中偏振光行进方向相同,磁场方向与所述逆磁光纤中偏振光行进方向相反,或者磁场方向与所述顺磁光纤中偏振光行进方向相反,磁场方向与所述逆磁光纤中偏振光行进方向相同。

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