[实用新型]瞬变电压抑制二极管有效
| 申请号： | 201922445887.6 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN214705934U | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 顾兴冲;贾雪松;高超 | 申请（专利权）人： | 力特半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王小衡;胡彬 |
| 地址： | 214142 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电压 抑制 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种瞬变电压抑制二极管，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底背面的第一电极；
位于所述衬底正面的第一离子掺杂区；
位于所述第一离子掺杂区远离所述第一电极一面的多个第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区掺杂有第一类型离子，所述第二离子掺杂区掺杂有第二类型离子；
覆盖所述第二离子掺杂区及所述第一离子掺杂区的第二电极，
其中，所述瞬变电压抑制二极管被配置为：
所述衬底为N型衬底，所述第一离子掺杂区为P型掺杂区，所述第二离子掺杂区为N+型掺杂区；或者
所述衬底为P型衬底，所述第一离子掺杂区为N型掺杂区，所述第二离子掺杂区为P+型掺杂区，
使得所述第一离子掺杂区以及所述第二离子掺杂区与所述第二电极形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的瞬变电压抑制二极管，其特征在于，
所述多个第二离子掺杂区呈均匀分布。
3.根据权利要求1所述的瞬变电压抑制二极管，其特征在于，
所述第二离子掺杂区的厚度小于等于2微米。
4.根据权利要求1所述的瞬变电压抑制二极管，其特征在于，
所述第二离子掺杂区为棱柱形或圆柱形。
5.根据权利要求1所述的瞬变电压抑制二极管，其特征在于，
位于所述衬底与所述第一电极接触的一面的第四离子掺杂区；
所述第四离子掺杂区中掺杂有第一类型离子。
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