[实用新型]一种半导体芯片的sip封装结构

说明书

本实用新型公开了一种半导体芯片的sip封装结构，包括：第一铜箔；半导体芯片，通过导电胶贴装在第一铜箔上；介质层以及设置在介质层上的第二铜箔，层压在半导体芯片上以形成双面覆铜线路板；第一铜箔和第二铜箔上均设置有图形线路；设置在双面覆铜线路板上的镀铜孔，半导体芯片的电极通过镀铜孔电连接至图形线路；控制芯片，贴装在第二铜箔远离半导体芯片的一侧，控制芯片以金属键合的方式连接至第二铜箔上的图形线路；塑封层，设置在控制芯片上。本实用新型通过改变半导体芯片的封装方式为埋入式封装，从而将金属键合的导电方式变更成铜柱接触的导电方式，可以有效降低封装的内阻，并通过层压制作成SIP模组，从而实现阻值和空间的同时减小。

技术领域

本实用新型涉及SIP封装领域，尤其涉及一种半导体芯片的sip封装结构。

背景技术

SIP封装将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，从而形成一个系统或者子系统。随着手机快充技术的发展，电子产品对功率器件模组的内阻值的要求越来越高，功率芯片的内阻已经可以降低到1-3mΩ,降低封装的内阻已经迫在眉睫。

但目前常规的半导体功率器件芯片的封装一般采用金属键合的方式，这种方式封装而成封装结构内阻较大，且体积较大，难以适应现在的技术潮流。

发明内容

本实用新型的目的在于，针对上述问题，提供一种半导体芯片的sip封装结构，将金属键合的导电方式变更成铜柱接触的导电方式，可以有效降低封装的内阻，并通过层压制作成SIP模组，从而实现阻值和空间的同时减小。

为解决上述技术问题，本实用新型基于以下技术方案进行实施：

一种半导体芯片的sip封装结构，包括：第一铜箔；半导体芯片，通过导电胶贴装在所述第一铜箔上；介质层以及设置在所述介质层上的第二铜箔，层压在所述半导体芯片上以形成双面覆铜线路板；所述第一铜箔和第二铜箔上均设置有图形线路；设置在所述双面覆铜线路板上的镀铜孔，所述半导体芯片的电极通过所述镀铜孔电连接至所述图形线路；控制芯片，贴装在所述第二铜箔远离所述半导体芯片的一侧，所述控制芯片以金属键合的方式连接至所述第二铜箔上的图形线路；塑封层，设置在所述控制芯片上。

进一步的，所述控制芯片的电极通过金属引线键合至所述第二铜箔上的图形线路。

进一步的，所述双面覆铜线路板的板厚和所述镀铜孔的孔径的比值小于或等于1。

进一步的，所述第二铜箔上还设置有阻焊层。

进一步的，所述介质层为半固化片。

进一步的，所述导电胶为塞孔树脂、导电银胶或焊锡膏。

进一步的，所述阻焊层为阻焊油墨。

进一步的，所述镀铜孔的打孔方式为机械钻孔或激光钻孔。

进一步的，所述镀铜孔的镀铜方式为化学镀铜或电镀铜。

进一步的，所述第二铜箔上设置有加厚电镀层。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型公开了一种半导体芯片的sip封装结构，通过改变半导体芯片的封装方式为埋入式封装，从而将金属键合的导电方式变更成铜柱接触的导电方式，可以有效降低封装的内阻，并通过层压制作成SIP模组，从而实现阻值和空间的同时减小。

附图说明

图1是本实用新型实施例中所述的一种半导体芯片的sip封装结构的剖面结构示意图。

图中：