[实用新型]一种倒装功率器件封装结构有效
申请号: | 201922448547.9 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN210925986U | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 詹创发 | 申请(专利权)人: | 湖北方晶电子科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 东莞市中正知识产权事务所(普通合伙) 44231 | 代理人: | 侯来旺 |
地址: | 443600 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 倒装 功率 器件 封装 结构 | ||
1.一种倒装功率器件封装结构,具有层状结构,其特征在于,层状结构包括具有一定硬度材料的基板,基板顶部贴合有异形导电金属层,并且在异形导电金属层表面有通过热压成型凸起的导电柱,基板上的异形导电金属层一端设有功率半导体芯片,并且在异形导电金属层和功率半导体芯片之间设有导电连接层,通过导电连接层将异形导电金属层和功率半导体芯片导电连接;功率半导体芯片的顶面成型有铝电极,并且在铝电极上键合有焊接金属球;异形导电金属层和功率半导体芯片表面设有绝缘层,绝缘层填满在功率半导体芯片和导电柱的侧面和上面,将芯片和导电柱全部密封包裹,导电柱和焊接金属球顶部一部分裸露在绝缘层表面;裸露在绝缘层表面的导电柱和焊接金属球成型有切面,并且在切面上设有易焊金属保护层。
2.根据权利要求1所述的一种倒装功率器件封装结构,其特征在于,基板为具有硬度的金属、硅、陶瓷、蓝宝石、玻璃其中一种材料。
3.根据权利要求1所述的一种倒装功率器件封装结构,其特征在于,功率半导体芯片厚度比导电柱凸起部分高度低1-1000um。
4.根据权利要求1所述的一种倒装功率器件封装结构,其特征在于,铝电极上的焊接金属球通过超声键合方式成型安装,焊接金属球为合金材料的金/铜/铝/银。
5.根据权利要求1所述的一种倒装功率器件封装结构,其特征在于,绝缘层为环氧树脂、硅胶、陶瓷、光刻胶、聚酰亚胺绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的一种倒装功率器件封装结构,其特征在于,导电柱和焊接金属球露出的切面上的易焊金属保护层厚度为1~200um,并且易焊金属保护层为主要成分是锡的易焊多层金属或金属合金。
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