[实用新型]一种小型化多制式多频段融合基站天线

权利要求书

1.一种小型化多制式多频段融合基站天线，包括底板（1），所述底板（1）的两个长边上分别设有反射板一（21）和反射板二（22），所述底板（1）的一个短边上设有反射板三（23），其特征在于：所述底板（1）上设有从反射板一（21）到反射板二（22）方向依次排列的高频辐射天线阵列一、高频辐射天线阵列三、低频辐射天线阵列一、高频辐射天线阵列五、高频辐射天线阵列六、低频辐射天线阵列二、高频辐射天线阵列四和高频辐射天线阵列二，所述高频辐射天线阵列一、高频辐射天线阵列二、高频辐射天线阵列三、高频辐射天线阵列四、高频辐射天线阵列五、高频辐射天线阵列六、低频辐射天线阵列一和低频辐射天线阵列二分别包括若干个阵列成一条直线的高频振子一（31）、高频振子二（32）、高频振子三（33）、高频振子四（34）、高频振子五（35）、高频振子六（36）、低频振子一（41）和低频振子二（42）；所述高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列三之间以及高频辐射天线阵列四和高频辐射天线阵列二之间均设有长隔离条一（51），所述高频辐射天线阵列五和高频辐射天线阵列六之间设有长隔离条二（52），所述低频振子一（41）之间以及低频振子二（42）之间均设有短隔离条一（61）。

2.如权利要求1所述的小型化多制式多频段融合基站天线，其特征在于：所述高频振子一（31）和高频振子二（32）均为高频金属半波压铸振子，个数均为5-10个；所述高频振子三（33）和高频振子四（34）均包括靠近反射板三（23）设置的高频金属半波压铸振子和远离反射板三（23）设置的FAD振子，所述高频金属半波压铸振子和FAD振子的个数均为一个以上；所述高频振子五（35）和高频振子六（36）均为FAD振子，个数均为一个以上；所述低频振子一（41）和低频振子二（42）均为十字形900MHz振子，个数均为一个以上。

3.如权利要求2所述的小型化多制式多频段融合基站天线，其特征在于：所述高频辐射天线阵列三、高频辐射天线阵列四、高频辐射天线阵列五和高频辐射天线阵列六中，相邻两个天线阵列中的高频振子错位排列在底板（1）上；部分所述短隔离条一（61）的底部具有缺口一（611）。

4.如权利要求3所述的小型化多制式多频段融合基站天线，其特征在于：所述高频辐射天线阵列一、高频辐射天线阵列二、高频辐射天线阵列三、高频辐射天线阵列四、高频辐射天线阵列五、高频辐射天线阵列六、低频辐射天线阵列一和低频辐射天线阵列二的中心频率分别为f1、f2、f3、f4、f5、f6、f7和f8，所述高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二的工作频段为1710MHz-2170MHz，所述高频辐射天线阵列三、高频辐射天线阵列四、高频辐射天线阵列五和高频辐射天线阵列六的工作频段为1880MHz-2675MHz，所述低频辐射天线阵列一和低频辐射天线阵列二的工作频段为880MHz-960MHz。

5.如权利要求4所述的小型化多制式多频段融合基站天线，其特征在于：所述高频振子一（31）的振子中心之间的距离为d1，所述d1为f1的0.75-0.95倍波长；所述高频振子二（32）的间距均为d2，所述d2为f2的0.75-0.95倍波长。

6.如权利要求5所述的小型化多制式多频段融合基站天线，其特征在于：部分所述高频振子一（31）和高频振子二（32）的两侧设有隔离片一（71），所述隔离片一（71）平行于反射板三（23），所述隔离片一（71）与高频振子一（31）的振子中心的距离为a1，所述a1为f1的0.2-0.35倍波长，所述隔离片一（71）与高频振子二（32）的中心的距离为a2，所述a2为f2的0.2-0.35倍波；部分所述隔离片一（71）的底部具有缺口二（711），便于调节隔离度。

7.如权利要求4所述的小型化多制式多频段融合基站天线，其特征在于：所述高频振子三（33）中FAD振子的振子中心之间的距离为d3，所述d3为f3的0.7-0.8倍波长；所述高频振子四（34）中FAD振子的振子中心之间的距离为d4，所述d4为f4的0.7-0.8倍波长。