[实用新型]一种TVS器件有效
| 申请号： | 201922456879.1 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN210837764U | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 徐远 | 申请（专利权）人： | 苏州矽航半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙) 44463 | 代理人： | 王储 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tvs 器件 | ||
1.一种TVS器件，其特征在于，所述器件由外向内分别设置有未掺杂玻璃层、磷酸玻璃层、铝层、二氧化硅层以及硅衬底；
所述二氧化硅层上设有窗口，所述窗口的两端开口沿所述器件的深度方向设置，所述窗口贯穿所述二氧化硅层，所述二氧化硅层上不与所述硅衬底相接触的外表面上覆盖有氮化硅层，所述氮化硅层与所述铝层相接触；
所述铝层填充所述窗口，且所述铝层经所述窗口与所述硅衬底相接触，相接触的所述铝层和所述硅衬底形成了所述器件的接触孔；
在所述铝层上依次生长能够吸杂的所述磷酸玻璃层和能够防划伤的所述未掺杂玻璃层；
在所述二氧化硅层外设置所述氮化硅层，使得所述铝层边缘保护环的致密度提高。
2.根据权利要求1所述的一种TVS器件，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为180-220A。
3.根据权利要求1所述的一种TVS器件，其特征在于：所述硅衬底上的所述二氧化硅层通过低压化学气相沉积法制备。
4.根据权利要求1所述的一种TVS器件，其特征在于：所述二氧化硅层上的所述氮化硅层通过低压化学气相沉积法制备。
5.根据权利要求1所述的一种TVS器件，其特征在于：所述器件上的铝层通过正面溅射的方式设置到所述器件上。
6.根据权利要求1所述的一种TVS器件，其特征在于：所述铝层上的所述磷酸玻璃层通过低压化学气相沉积法制备。
7.根据权利要求1所述的一种TVS器件，其特征在于：所述磷酸玻璃层上的所述未掺杂玻璃层通过低压化学气相沉积法制备。
8.根据权利要求1所述的一种TVS器件，其特征在于：所述二氧化硅层是由四乙氧基硅烷分解制得。
9.根据权利要求1所述的一种TVS器件，其特征在于：所述窗口由对所述二氧化硅层进行光刻、刻蚀而成。
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