[实用新型]提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构

权利要求书

1.一种提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

基底；

若干个底部金属，间隔分布于所述基底上；

若干个焊垫，对应形成于各所述底部金属上；

若干个修复金属部，对应形成于所述底部金属与所述焊垫之间；

金属线，形成于所述焊垫上。

2.根据权利要求1所述的提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述焊垫包括依次形成于所述底部金属表面的缓冲阻挡层及金属层。

3.根据权利要求2所述的提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述缓冲阻挡层包括Ni层；所述金属层包括Au层；所述底部金属的材料包括Cu。

4.根据权利要求2所述的提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述缓冲阻挡层的厚度介于1.8μm-2.2μm之间；所述金属层的厚度介于0.1μm-1μm之间；所述底部金属的厚度介于3μm-6μm之间。

5.根据权利要求1所述的提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述基底上还形成有种子层，所述底部金属均形成于所述种子层上。

6.根据权利要求5所述的提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述种子层包括依次形成于所述基底上的粘附层及上金属层，其中，所述上金属层的材料与所述底部金属的材料相同，所述粘附层包括Ti层。

7.根据权利要求1所述的提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述基底包括支撑层、形成于所述支撑层上的剥离层以及形成于所述剥离层上的介质层，其中，所述底部金属形成于所述介质层上。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的提高底部金属与焊垫辨识度的半导体结构，其特征在于，所述修复金属部包括基于溅射工艺的金属层，所述修复金属部的材料与所述底部金属的材料相同；所述修复金属部的厚度介于1000埃-8000埃之间。