[实用新型]一种基于优化刻槽技术的器件

说明书

本实用新型公开了一种基于优化刻槽技术的器件，器件的材料为硅，器件上设有深槽，深槽的内腔侧壁已经BOE溶液清洗，深槽内沉积二氧化硅；未经BOE溶液清洗的内腔侧壁的粗糙程度大于清洗后的内腔侧壁的粗糙程度，未经BOE溶液清洗的内腔侧壁上生长有氧化层，BOE溶液将氧化层漂去；未生长氧化层的器件已被刻槽，器件上的深槽经等离子体干法刻蚀而成型，器件在刻蚀深槽前表面还设有硬掩模，在刻蚀的过程中器件与硬掩模均被消耗；在硬掩模被刻蚀前，硬掩模上的光刻胶全部被除去，硬掩模在光刻胶全部被除去前已经被刻蚀消耗掉部分。本实用新型所提及的器件的可以将深槽刻蚀引入的漏电控制在较低的水平。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于优化刻槽技术的器件。

背景技术

原本分立器件隔离大多使用PN结扩散的方法进行隔离，这种传统方式浪费的太多的有源区面积，且扩散时间长，随着半导体光刻技术和刻蚀技术的飞速发展，取而代之的是深槽刻蚀并填充二氧化硅的深槽隔离技术。深槽隔离线宽可以做到1um，大大节约了芯片隔离区域的面积。但是深槽隔离很多时候会出现漏电偏大的现象，这主要因为深槽的侧壁的表面缺陷所导致。

实用新型内容

本实用新型克服了现有技术的不足，提供一种基于优化刻槽技术的器件。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种基于优化刻槽技术的器件，所述器件的材料为硅，所述器件上设有深槽，所述深槽的内腔侧壁已经BOE溶液清洗，所述深槽内沉积二氧化硅；

未经所述BOE溶液清洗的所述内腔侧壁的粗糙程度大于清洗后的所述内腔侧壁的粗糙程度，未经所述BOE溶液清洗的所述内腔侧壁上生长有氧化层，所述BOE溶液将所述氧化层漂去；

未生长所述氧化层的器件已被刻槽，所述器件上的深槽经等离子体干法刻蚀而成型，所述器件在刻蚀深槽前表面还设有硬掩模，在刻蚀的过程中所述器件与所述硬掩模均被消耗；在所述硬掩模被刻蚀前，所述硬掩模上的光刻胶全部被除去，所述硬掩模在所述光刻胶全部被除去前已经被刻蚀消耗掉部分。

本实用新型一个较佳实施例中，所述深槽的线宽为0.9-1.1um。

本实用新型一个较佳实施例中，所述氧化层由热氧与所述器件的内腔侧壁反应生成。

本实用新型一个较佳实施例中，所述氧化层的厚度为550-650A。

本实用新型一个较佳实施例中，所述BOE溶液为HF和NH4F的混合溶液。

本实用新型一个较佳实施例中，所述深槽内的所述二氧化硅通过低压化学气相法沉积制得。

本实用新型一个较佳实施例中，所述硬掩模的厚度为1.8-2.2um。

本实用新型一个较佳实施例中，所述器件上的所述硬掩模通过化学气相沉积法制得。

本实用新型解决了背景技术中存在的缺陷，本实用新型具备以下有益效果：

(1)本实用新型通过在深槽内沉积二氧化硅之前，在深槽侧壁上生成牺牲氧化层并除去牺牲氧化层来减少侧壁的瑕疵，从而减少了器件的漏电。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明；

图1是本实用新型的优选实施例的深槽优化后的对比示意图；

图2是本实用新型的优选实施例的深槽工艺图；

图中：1、深槽；2、器件；3、硬掩模；4、光刻胶。

具体实施方式

现在结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。