[实用新型]硅片自动蚀刻生产线有效
申请号: | 201922466513.2 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN210925966U | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 罗荣;周年春 | 申请(专利权)人: | 东莞市瑞辰自动化科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 苏州和氏璧知识产权代理事务所(普通合伙) 32390 | 代理人: | 许庆 |
地址: | 523000 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 自动 蚀刻 生产线 | ||
本实用新型公开了硅片自动蚀刻生产线,包括自动蚀刻生产线主体,所述自动蚀刻生产线主体的下端设置有固定底座,所述固定底座的上端设置有输送线,所述输送线的上端设置有一号升降台,所述一号升降台的上端外表面设置有一号真空吸盘,所述一号真空吸盘的上端外表面设置有硅片,所述一号真空吸盘的外侧设置有一号工装盘,所述一号工装盘的上端外表面设置有九宫格工装,所述九宫格工装的上端外表面设置有点胶阀,所述九宫格工装的内表面设置有点胶针头,所述气缸的上端设置有二号工装盘。本实用新型所述的硅片自动蚀刻生产线,通过结构和工艺的优化改进,可以提高了生产效率,方便了人们使用,节约了成本,带来更好的使用前景。
技术领域
本实用新型涉及自动蚀刻领域,特别涉及硅片自动蚀刻生产线。
背景技术
硅片自动蚀刻生产线是一种进行蚀刻反应、清洗、风干等工艺的支撑设备,由于目前光刻胶在完成光刻和显影工艺后,在蚀刻工艺阶段均采用人工手动浸泡蚀刻,这种生产方式效率低下,且蚀刻液浪费大,蚀刻产品质量不稳定,针对这些生产中出现的问题,因此设计出一套能替代人工蚀刻的自动化蚀刻生产线,随着科技的不断发展,人们对于自动蚀刻的制造工艺要求也越来越高。
现有的蚀刻在使用时存在一定的弊端,首先,蚀刻时是使用人工手动浸泡蚀刻,降低了生产方式效率,不利于人们的使用,还有,在使用的时候,蚀刻液浪费大,蚀刻产品质量不稳定,给人们的使用过程带来了一定的不利影响,为此,我们提出硅片自动蚀刻生产线。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了硅片自动蚀刻生产线,具备节约了能源、提高了质量与实用性强等优点,可以有效解决背景技术中的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的,本实用新型采取的技术方案为:包括自动蚀刻生产线主体,所述自动蚀刻生产线主体的下端设置有固定底座,所述固定底座的上端设置有输送线,所述输送线的上端设置有一号升降台,所述一号升降台的上端外表面设置有一号真空吸盘,所述一号真空吸盘的上端外表面设置有硅片,所述一号真空吸盘的外侧设置有一号工装盘,所述一号工装盘的上端外表面设置有九宫格工装,所述九宫格工装的上端外表面设置有点胶阀,所述九宫格工装的内表面设置有点胶针头,所述点胶阀的上端设置有供胶系统,所述点胶阀的一侧设置有气缸,所述气缸的上端设置有二号工装盘,所述二号工装盘的下端外表面设置有升降平台,所述升降平台的下端设置有二号真空吸盘,所述二号工装盘的上端设置有升降喷淋系统,所述升降喷淋系统的一侧设置有纯净离子水供应系统,所述升降平台的一侧设置有二号升降台,所述二号升降台的上端设置有高压风机。
优选的,所述供胶系统的材质为304或316不锈钢桶,所述供胶系统的桶壁厚度为3-8mm,所述供胶系统的桶盖厚度为13-20mm,所述供胶系统的调压表为10bar,所述供胶系统的最大流体压力为7bar,所述供胶系统的出胶方式为上部或下部出胶。
优选的,所述升降平台的驱动设置为伺服电机系统,所述升降平台的机械设置为标准铝材件、304不锈钢与国标碳钢方通管。
优选的,所述升降平台的传动设置为行星减速机,所述升降平台的主要结构为滚珠丝杆。
优选的,所述自动蚀刻生产线主体的供电单相为220V,且外壳接地保护,所述自动蚀刻生产线主体的电源总挚设置有漏电保护功能。
优选的,所述自动蚀刻生产线主体的长度设置为2500mm,所述自动蚀刻生产线主体的宽度设置为722mm,所述自动蚀刻生产线主体的高度设置为1470mm。
(三)有益效果
与现有技术相比,本实用新型提供了硅片自动蚀刻生产线,具备以下有益效果:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市瑞辰自动化科技有限公司,未经东莞市瑞辰自动化科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201922466513.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造