[实用新型]一种提高晶体生长速度的风冷管装置有效

专利信息
申请号: 201922467269.1 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN211595842U 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 廖永建;张福亮;周里华 申请(专利权)人: 惠磊光电科技(上海)有限公司
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 安曼
地址: 201801 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 晶体生长 速度 风冷 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种提高晶体生长速度的风冷管装置,包括发热筒体,所述发热筒体内设置有隔热层,且发热筒体内设置有坩埚本体,所述隔热层底部位于发热筒体内滑动安装有管道,所述管道呈螺旋形环结构设置,且管道一端设置有冷气机,所述冷气机的出风口和管道一端通过钢丝软管固定连接,所述管道表面固定安装有四组滑块,其中一组所述滑块贯穿于发热筒体内壁且延伸至发热筒体外部,所述滑块位于发热筒体外部一侧设置有驱动组件,所述驱动组件包括丝杆,且丝杆一端固定安装有电机,所述电机固定安装于发热筒体外壁一侧,所述光电开关和冷气机电性连接,保证发热筒体内始终保持适合晶体快速生长的温度。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长技术领域,具体涉及一种提高晶体生长速度的风冷管装置。

背景技术

一般坩埚下降晶体生长炉的热场示意图如下,熔点温度线一般控制在底部隔热层中上部,坩埚可下降慢慢移动完成晶体生长过程。生长早期由于坩埚基本处于底部隔热层的上部,隔热层下部空间由于远离发热区,温度较低,结晶区温度梯度大,适合高效率生长质量良好的晶体。

随着坩埚的不断下移进入底部隔热层下部空间,坩埚将发热区的热量大幅度带入隔热层下部空间,导致下部空间温度升高,结晶区温度梯度大幅度降低,导致生长界面漂移,适合的生长速度下降,极其不利于晶体生长。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种提高晶体生长速度的风冷管装置,在发热筒体内设置螺旋形环结构的管道,利用光电开关根据坩埚本体的移动位置启动冷气机向管道内输送冷气,使发热筒体内始终保持适合晶体快速生长的温度;在冷风管道一侧设置驱动组件带动灌输冷气的管道在发热筒体内往复运动,使冷气在坩埚下移过程中均匀受冷,更利于晶体的生长,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种提高晶体生长速度的风冷管装置,包括发热筒体,所述发热筒体内设置有隔热层,且发热筒体内设置有坩埚本体,所述隔热层底部位于发热筒体内滑动安装有管道,所述管道呈螺旋形环结构设置,且管道一端设置有冷气机,所述冷气机的出风口和管道一端通过钢丝软管固定连接,所述管道表面固定安装有四组滑块,其中一组所述滑块贯穿于发热筒体内壁且延伸至发热筒体外部;

所述滑块位于发热筒体外部一侧设置有驱动组件,所述驱动组件包括丝杆,所述丝杆转动安装于滑块内,且丝杆一端固定安装有电机,所述电机固定安装于发热筒体外壁一侧;

所述隔热层底部对称安装有光电开关,所述光电开关和冷气机电性连接。

其中,所述坩埚本体底部设置有支撑柱。

其中,所述发热筒体内壁对称设置有滑槽,所述滑块和滑槽间隙配合。

其中,所述丝杆两端均通过带座轴承固定安装于发热筒体外壁一侧,所述丝杆表面螺接有螺套,所述螺套和滑块转动连接。

其中,所述发热筒体一侧位于滑块贯穿位置开设有槽口,所述槽口和滑块之间均固定安装有风琴板。

其中,所述光电开关和隔热层之间固定连接有定位板,所述光电开关和定位板螺纹连接。

综上所述,由于采用了上述技术,本实用新型的有益效果是:

本实用新型中,在发热筒体内设置螺旋形环结构的管道,利用光电开关根据坩埚本体的移动位置启动冷气机向管道内输送冷气,使发热筒体内始终保持适合晶体快速生长的温度;

本实用新型中,在冷风管道一侧设置驱动组件带动灌输冷气的管道在发热筒体内往复运动,使冷气在坩埚下移过程中均匀受冷,更利于晶体的生长。

附图说明

图1为本实用新型一种提高晶体生长速度的风冷管装置的主视结构示意图;

图2为本实用新型一种提高晶体生长速度的风冷管装置的俯视结构示意图;

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