[实用新型]一种CMOS工艺脉冲产生电路结构有效
| 申请号： | 201922470985.5 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN210927602U | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李湘春;徐兴;蓝龙伟;胡锦 | 申请（专利权）人： | 苏州锐控微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 工艺 脉冲 产生 电路 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种CMOS工艺脉冲产生电路结构，其特征在于，包括：多级RC延时网络；RC延时网络的每一级包括：基极相互连接的PMOS管和NMOS管，输出端与所述PMOS管和NMOS管基极连接的反相器，该反相器的输出端作为本级RC延时网络的输出端；RC延时网络下一级反相器的输入端与所述PMOS管和NMOS管基极连接，同时该反相器的输出端作为RC延时网络下一级的信号输出端；RC延时网络的输出端连接异或门的输入端，异或门的输出端连接反相器的输入端。
2.根据权利要求1所述的一种CMOS工艺脉冲产生电路结构，其特征在于，所述RC延时网络的第一级反相器的输入端作为信号输入端。
3.根据权利要求2所述的一种CMOS工艺脉冲产生电路结构，其特征在于，所述异或门的第一输入端与RC延时网络的最后一级反相器的输出端连接，所述异或门的第二输入端与信号输入端连接。
4.根据权利要求1所述的一种CMOS工艺脉冲产生电路结构，其特征在于，输入端与异或门连接的反相器的输出端作为信号输出端。
5.根据权利要求1所述的一种CMOS工艺脉冲产生电路结构，其特征在于，RC延时网络的每一级的PMOS的漏极、源极均连接高电平。
6.根据权利要求5所述的一种CMOS工艺脉冲产生电路结构，其特征在于，RC延时网络的每一级的NMOS的漏极、源极均连接低电平。
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