[实用新型]一种低导通电阻的中低压平面栅VDMOS器件有效
| 申请号： | 201922471072.5 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN211529958U | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 许剑;钟传杰;刘桂芝 | 申请（专利权）人： | 无锡麟力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 朱晓林 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡市锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 通电 低压 平面 vdmos 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种低导通电阻的中低压平面栅VDMOS器件，其特征在于：包括N+型衬底；
所述N+型衬底上表面形成有N-型外延层；
所述N-型外延层内部中部形成有多个P型体区，相邻的P型体区之间互不相连并由N-型外延层相隔离；
相邻的P型体区之间形成有栅极氧化层，所述栅极氧化层跨接在相邻的P型体区的上表面且边缘延伸至P型体区内；
所述栅极氧化层上表面形成有多晶硅栅极且多晶硅栅极的中部断开，形成有多晶硅栅注入窗口；
位于所述多晶硅栅注入窗口下方的N-型外延层的内部上部形成有N+有源区，作为低电阻区；
所述P型体区的顶部沿水平方向依次形成有N+有源区、P+有源区、N+有源区，两个N+有源区之间形成有金属接触孔区域，所述P+有源区顶部与金属接触孔区域的底部相接，底部低于N+有源区底部；
所述N+有源区上方、多晶硅栅极上方、多晶硅栅注入窗口上方均形成有介质层；
所述介质层和P+有源区上方形成有金属层，所述金属层与N+有源区、P+有源区连接，形成源极金属。
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