[实用新型]一种气相沉积炉

说明书

本实用新型公开了一种气相沉积炉，解决了现阶段的气相沉积炉的沉积质量有待提高的问题。其技术方案要点是一种气相沉积炉包括加热炉体和料架；加热炉体具有反应空腔，加热炉体内设有布气管道，布气管道的中部还设有将布气管道的通道隔断的隔板，布气管道的两端均设有为布气管道供气的进气管道；加热炉体的两端设有与反应空腔连通的排气管道、控制排气管道开闭的排气阀，气相沉积炉还设有与排气管道连接的真空泵；料架包括旋转轴和安装于旋转轴的转筒；加热炉体还设有驱动转筒旋转的驱动电机，加热炉体还设有旋转支撑于旋转轴两端的支撑组件，所述气相沉积炉中在反应过程中反应空腔内的反应气体较为均匀，提升了纤维材料表面的沉积层的质量。

技术领域

本实用新型涉及一种气相沉积炉。

背景技术

气相沉积法（CVD）是指化学气体或者蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。而气相沉积炉是气相沉积法不可或缺的设备。

参阅附图10，现阶段的一种气相沉积炉，包括加热炉体1’、安装于加热炉体1’内腔的料架2’，加热炉体1’具有供料架2’安装的反应空腔11’，加热炉体1’在反应空腔11’内沿反应空腔11’的长度方向布置有布气管道12’以及与布气管道12’连接的进气管道13’，加热炉体1’还设有与反应空腔11’连通的排气管道17’和与排气管道17’连接的真空泵4’。

在需要对纤维材料进行表面气相沉积时，将纤维材料缠绕于料架2’后置于反应空腔11’内，之后通过进气管道13’向反应空腔11’内填充反应气体，并且通过真空泵4’和排气管道17’平衡反应空腔11’内的气压，使得进气管道13’能够持续向反应空腔11’内注入反应气体。

上述气相沉积炉仅通过布气管道12’向反应空腔内注入反应气体，但是反应气体在反应空腔11’内的分布并不均匀，影响纤维材料的表面的沉积层的质量。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种气相沉积炉，所述气相沉积炉中在反应过程中反应空腔内的反应气体较为均匀，提升了纤维材料表面的沉积层的质量。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：

一种气相沉积炉，包括加热炉体和料架；所述加热炉体具有供料架放置的反应空腔，所述加热炉体内设有布气管道，所述布气管道的中部还设有将布气管道的通道隔断的隔板，所述布气管道的两端均设有为布气管道供气的进气管道；所述加热炉体的两端设有与反应空腔连通的排气管道、控制排气管道开闭的排气阀，所述气相沉积炉还设有与排气管道连接的真空泵；所述料架包括旋转轴和安装于旋转轴的转筒；所述加热炉体还设有驱动所述转筒旋转的驱动电机，所述加热炉体还设有旋转支撑于所述旋转轴两端的支撑组件。

通过采用上述技术方案，由于布气管道设置在反应空腔内的一侧，则使得反应空腔内的反应气体的浓度的分布并不均匀，本申请中的气相沉积炉通过旋转料架的方式，使得反应空腔内的反应气体均匀起来。

布气管道通过隔板分隔形成两个部分，且加热炉体的两端设有两个排气通道，使得布气管道有且仅有一个部分进行进气，并将靠近布气管道进气部分的排气阀关闭，使得反应气体需要通过整个反应空腔后才能够从排气管道排出，有助于反应气体在反应空腔内的流通，并均匀反应空腔内的反应气体的布置；同时能够通过更换布气管道的进气部分，进一步提升反应空腔内的反应气体的均布，从而有助于提升纤维材料表面的沉积层的质量。

本实用新型进一步设置为，所述加热炉体在远离所述驱动电机的一端还设有供所述料架进入所述反应空腔的炉口以及将所述炉口盖合的炉门；所述旋转轴具有贯穿其两端的插孔；所述气相沉积炉还设有取放料架的取料装置；所述取料装置包括取料小车和供取料小车滑移的导轨；所述取料小车具有与旋转轴的插孔配合的插柱；所述驱动电机的输出轴和所述旋转轴的端部通过卡接组件可拆卸配合。