[实用新型]一种基片及器件

说明书

本实用新型公开了一种基片及器件，其中，所述器件包括阶梯式基片，所述阶梯式基片包括第一基片以及堆叠在所述第一基片上且与所述第一基片形成阶梯落差的第二基片，设置在所述阶梯式基片上的第一电极，所述第一电极横跨所述第一基片和第二基片，设置在所述第二基片上且覆盖所述第一电极的功能层，设置在所述功能层上且横跨所述第一基片和第二基片的第二电极，所述第二电极位于所述第一基片的部分与所述第一电极位于所述第一基片的部分错开。本实用新型通过设计阶梯式基片，在旋涂功能层时溶液可在第二基片边缘飞出，阶梯下方的第一基片上则无溶液形成膜层，该设计免去了擦边工序，简化了器件制备工艺，提升了制备效率。

技术领域

本实用新型涉及旋涂器件领域，尤其涉及一种基片及器件。

背景技术

现有技术通常采用溶液方法制备旋涂器件，目前旋涂器件的常用结构是在已预制ITO的基片上旋涂数道功能层，再通过蒸镀的方式制备金属阴极。由于旋涂器件会在基片整个表面形成致密膜层，因此在蒸镀之前必须经过数道擦边工艺来将基片边缘的膜层擦掉，露出ITO边缘便于与外电极形成良好接触，确保测试准确性。

然而，在旋涂过程中，擦边工序易造成以下问题：

1)、增加工序复杂性，器件制备时间延长。以目前的量子点器件制备为例，至少需要经两次擦边，且两次擦边所用溶液也不相同。擦边工序需要繁琐的更换棉签、蘸取溶液，某些功能层较厚时更会增大擦边难度。要确保擦边干净且不能损伤到基片中心的发光区，很耗费人力；

2)、溶液飞溅导致膜层受损。擦边过程需要用棉签蘸取溶液进行擦除，容易造成棉签上溶液飞溅损伤膜层，当某些较厚的功能层擦除时，膜层本身也会形成大颗粒的材料飞溅，对膜层均匀性和稳定性的影响很大；

3)、部分特殊器件结构难以实现擦边。特殊性的器件结构，有时会要求在蒸镀完成后还要旋涂功能层，这时擦边必定会导致蒸镀的金属阴极受损，造成外接电极无法正常接触，测试不准。

由于以上问题目前还不能得到充分有效的解决，使得现有擦边工序还有改进和发展的空间。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种基片及器件，旨在解决现有旋涂器件在进行测试时需要经过数道擦边工艺来将基片边缘的膜层擦掉，而擦边工艺复杂且容易损伤旋涂器件的问题。

本实用新型的技术方案如下：

一种基片，其中，所述基片为阶梯式基片，所述阶梯式基片包括第一基片以及堆叠在所述第一基片上且与所述第一基片形成阶梯落差的第二基片；

所述阶梯式基片用于设置第一电极，所述第一电极横跨所述第一基片和第二基片，所述第二基片用于设置功能层，所述功能层还覆盖所述第一电极，所述功能层上设置有第二电极，所述第二电极横跨所述第一基片和第二基片，所述第二电极位于所述第一基片的部分与所述第一电极位于所述第一基片的部分错开。

所述的基片，其中，所述第二基片的侧边与所述第一基片平面的夹角为120-150°。

所述的基片，其中，所述阶梯式基片的高度为1-2mm。

所述的基片，其中，所述第二基片的高度为500-1000um。

所述的基片，其中，所述第一基片和所述第二基片均为矩形，所述第二基片位于所述第一基片的中心位置，所述第二基片的四个侧边均与所述第一基片形成阶梯落差。

所述的基片，其中，所述第一基片与所述第二基片一体成型。