[实用新型]电路器件壳体、晶体管件、功率模块及散热底板有效
| 申请号： | 201922492194.2 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN211182182U | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 朱贤龙;闫鹏修;王亚哲 | 申请（专利权）人： | 广东芯聚能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/06 | 分类号： | H01L23/06;H01L23/373 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄丽 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电路 器件 壳体 晶体管 功率 模块 散热 底板 | ||
1.一种电路器件壳体，其特征在于，包括壳体本体，以及设置在壳体本体一侧的用于与散热底板烧结连接的镀第一金属层；
其中，所述镀第一金属层由烧结在所述壳体本体一侧的第一金属颗粒组成。
2.根据权利要求1所述的电路器件壳体，其特征在于，所述第一金属颗粒包括银颗粒或铜颗粒。
3.根据权利要求1所述的电路器件壳体，其特征在于，所述第一金属颗粒包括纳米银颗粒。
4.一种晶体管件，其特征在于，包括晶体管电路、晶体管端子以及如权利要求1至3任意一项所述的电路器件壳体；
其中，所述晶体管电路设置在所述壳体本体内，并用于通过设置在所述壳体本体外所述晶体管端子与外部电路实现电连接。
5.根据权利要求4所述的晶体管件，其特征在于，所述晶体管电路包括MOSFET管电路；
所述晶体管端子包括栅极端子、漏极端子和源极端子。
6.一种功率模块，其特征在于，包括功率模块电路、功率模块端子以及如权利要求1至3任意一项所述的电路器件壳体；
其中，所述功率模块电路设置在所述壳体本体内，并用于通过设置在所述壳体本体外所述功率模块端子与外部电路实现电连接。
7.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块电路包括IGBT功率模块电路；
所述功率模块端子包括功率端子和信号端子。
8.一种散热底板，其特征在于，包括底板本体，以及设置在底板本体一表面的用于与电路器件壳体烧结连接的镀第二金属层；
其中，所述镀第二金属层由烧结在所述底板本体一表面的第二金属颗粒组成。
9.根据权利要求8所述的散热底板，其特征在于，所述第二金属颗粒包括银颗粒或铜颗粒。
10.根据权利要求8所述的散热底板，其特征在于，所述第二金属颗粒包括纳米银颗粒。
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