[实用新型]一种发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201922492988.9 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN211929520U | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 杨凯;李有群;杨明涛;林洪剑;甄炯炯;张振龙 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/22;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 361012 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管芯片，包括：
转移基板和依次层叠在所述转移基板上的粘合层，介质膜层，P型欧姆接触层，P型电流扩展层，P型限制层，有源层，N型限制层，N型粗化层，N型欧姆接触层；以及，
上电极，位于所述N型欧姆接触层上；
下电极，位于所述转移基板下；
其特征在于，所述N型粗化层与所述N型限制层之间还设置有应力渐变层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，
所述N型粗化层为铝镓铟磷化合物(AlxGa(1-x))0.5In0.5P；
所述N型限制层为铝铟磷化合物AlInP；
所述应力渐变层为铝镓铟磷化合物(AlyGa(1-y))0.5In0.5P。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，
所述上电极半径大于30微米。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，
所述上电极包括多层金属层。
5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述上电极包括：依次堆叠设置的第一金层、金锗镍合金层、第二金层、铂层以及铝层，其中，所述第一金层与所述N型欧姆接触层接触。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，
所述发光二极管芯片为磷化铝镓铟发光二极管芯片。
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