[实用新型]一种发光二极管芯片

说明书

本申请公开了一种发光二极管芯片。发光二极管芯片包括：转移基板和依次层叠在所述转移基板上部的粘合层，介质膜层，P型欧姆接触层，P型电流扩展层，P型限制层，有源层，N型限制层，N型粗化层，N型欧姆接触层；以及，上电极，位于所述N型欧姆接触层上；下电极，位于所述转移基板下；其中，上电极的半径大于30微米，可以降低焊接时的压强，降低出现挖电极的可能系。该发光二极管可以有效避免焊线过程中挖电极和掉电极的问题，提高产品可靠性和亮度。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)的发光原理是利用电子在N型半导体与P型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量。以其良好的显色能力，已被广泛应用在诸如显示指示、交通标志、城市亮化等公共领域。同时，作为优良的半导体照明光源，LED兼具能耗低、寿命长、免维护、环保等诸多优点。可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。

传统转移基板的四元系磷化铝镓铟发光二极管(AlGaInP LED)芯片的外延片是很多层的组合，由于层与层之间存在晶格差异，就会产生应力，使得发光二极管芯片存在挖电极、掉电极的问题，增加了产品可靠性风险和客户维护成本。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种发光二极管芯片及其制备方法，防止在焊线过程中出现挖电极，掉电极的问题。

根据本实用新型的第一方面，提供一种发光二极管芯片，包括：

转移基板和依次层叠在所述转移基板上的粘合层，介质膜层，P型欧姆接触层，P型电流扩展层，P型限制层，有源层，N型限制层，N 型粗化层，N型欧姆接触层；以及，

上电极，位于所述N型欧姆接触层上；

下电极，位于所述转移基板下；

其特征在于，所述上电极包括多层金属层，所述上电极半径大于30 微米。

优选地，还包括铝元素的组分小于所述N型粗化层中铝元素的组分的应力渐变层，所述应力渐变层设置在所述N型粗化层与所述N型限制层之间。

优选地，所述N型粗化层为铝镓铟磷化合物(Al_xGa_(1-x))_0.5In_0.5P；

所述N型限制层为铝铟磷化合物AlInP；

所述应力渐变层为铝镓铟磷化合物(Al_yGa_(1-y))_0.5In_0.5P。

优选地，所述多层金属层包括：依次堆叠设置的第一金层、金锗镍合金层、第二金层、铂层以及铝层，其中，所述第一金层与所述N型欧姆接触层接触。

优选地，所述发光二极管芯片为磷化铝镓铟发光二极管芯片。

根据本实用新型实施例的发光二极管芯片包括：转移基板和依次层叠在所述转移基板上的粘合层，介质膜层，P型欧姆接触层，P型电流扩展层，P型限制层，有源层，N型限制层，N型粗化层，N型欧姆接触层；以及，位于所述N型欧姆接触层上的上电极，位于所述转移基板下的下电极，其中，所述上电极半径大于30微米。本实用新型的发光二极管芯片采用半径大于30微米的上电极，具备充足的供电面积，供电充足，发光效果良好，降低了焊线过程中的压强，降低出现挖电极的可能性。

同时，在N型粗化层与N型限制层之间还设置有铝元素的组分小于 N型粗化层中铝元素的组分的应力渐变层，该应力渐变层可以解决发光二极管芯片在焊线过程中出现挖电极，掉电极的问题，提高了芯片的可靠性。

附图说明