[实用新型]一种耐压PPTC热敏电阻过载保护器件

权利要求书

1.一种耐压PPTC热敏电阻过载保护器件，其特征在于，所述器件用于串联在电路中，包括第一低阻芯片、第二低阻芯片、高阻芯片、第一金属膜、第二金属膜、电极引出脚，所述第一低阻芯片、高阻芯片、第二低阻芯片依次串联组成PPTC芯片组，所述第一低阻芯片、第二低阻芯片置于两边，高阻芯片置于中间，通过第一金属膜无缝叠合连接，所述第一低阻芯片、第二低阻芯片的外侧分别连接有第二金属膜，所述电极引出脚连接在第二金属膜的外侧上。

2.根据权利要求1所述的耐压PPTC热敏电阻过载保护器件，其特征在于，所述器件包括两个电极引出脚，两个电极引出脚分别焊接在第一低阻芯片、第二低阻芯片外侧的第二金属膜上。

3.根据权利要求1所述的耐压PPTC热敏电阻过载保护器件，其特征在于，所述第一低阻芯片、第二低阻芯片、高阻芯片分别为单个PPTC热敏电阻芯片，耐电压为300V。

4.根据权利要求1所述的耐压PPTC热敏电阻过载保护器件，其特征在于，所述第一低阻芯片、第二低阻芯片、高阻芯片为片状结构，所述高阻电阻为毫欧姆级高电阻值层，所述第一低阻芯片、第二低阻芯片为毫欧姆级低电阻值层，所述两个毫欧姆级低电阻值层和毫欧姆级高电阻值层在高温熔融压合成无缝内核芯片组。

5.根据权利要求1所述的耐压PPTC热敏电阻过载保护器件，其特征在于，所述第一低阻芯片、第一低阻芯片选择40mΩ-120mΩ的芯片；高阻芯片选择120mΩ-240mΩ的芯片。

6.根据权利要求1所述的耐压PPTC热敏电阻过载保护器件，其特征在于，所述第一金属膜为双面粗糙的铜膜。

7.根据权利要求6所述的耐压PPTC热敏电阻过载保护器件，其特征在于，所述第一金属膜的粗糙面为uM级凹凸面。

8.根据权利要求1所述的耐压PPTC热敏电阻过载保护器件，其特征在于，所述第二金属膜为单面粗糙的铜膜，所述第二金属膜的粗糙面分别与第一低阻芯片、第二低阻芯片无缝贴合连接，所述第二金属膜的光滑面连接电极引出脚。

9.根据权利要求1所述的耐压PPTC热敏电阻过载保护器件，其特征在于，所述电极引出脚为φ0.8-1.5mm的镀锡铜线。

10.根据权利要求1所述的耐压PPTC热敏电阻过载保护器件，其特征在于，所述器件表面通过环氧树脂绝缘包封。