[实用新型]一种独立驱动的多芯片LED氮化铝陶瓷支架

说明书

本实用新型公开了一种独立驱动的多芯片LED氮化铝陶瓷支架，包括氮化铝基板；所述氮化铝基板的端面上安装正极铜柱、负极铜柱；所述氮化铝基板的正面设置固晶台、电极；所述固晶台与正极铜柱连接，并设置发光芯片；所述电极与负极铜柱连接；所述氮化铝基板的背面正极焊脚、负极焊脚，中间位置设置散热片。该装置采用导热系数较大的氮化铝陶瓷基板作为基材，并设有铜柱把固晶台、焊盘与相应的焊脚连接起来，不需要填埋孔，不必额外增加设备，从源头上解决了由于填埋孔而造成的各种问题以及各方面投入。本实用新型成本低、散热性能好、产品结构精密、使用灵活，尤其适用于各种使用场合的信号灯和大型户外屏幕。

技术领域

本实用新型涉及LED陶瓷支架领域，尤其涉及一种具有线路精度高、电流负载量大、散热性能好、独立驱动的多芯片LED氮化铝陶瓷支架。

背景技术

随着大功率电子器件的不断发展，新型电子陶瓷材料氮化铝陶瓷由于具备优良的导热性能(导热系数最高可达到320W/m·K)、机械强度、无毒副作用，以及膨胀系数与硅、锗等半导体材料匹配等优点，被认为是最理想的基板材料，已经逐步在大功率LED、激光器、大功率晶体管集成线路等领域中得到广泛应用。

对于双面导通的氮化铝陶瓷支架，通常采用激光钻孔，然后电镀填埋孔或者导电高分子材料塞孔，以此形成两面线路互连通道。该方法虽然能节省板面空间，但是孔径的大小和填孔的工艺直接影响氮化铝陶瓷支架的性能：(1)无论采用电镀填孔还是高分子材料塞孔，必须增加专用的生产线，如脉冲电镀线、研磨线或真空塞孔线，不仅增加了各方面的投入，而且工艺复杂繁琐，大大提高了产品的成本和加工工时；(2)对于高分子材料塞孔工艺，一旦氮化铝陶瓷线路板处于高温的环境中，高分子材料受热发生胀裂，甚至炭化，严重破坏线路，造成线路断开或短路，产生严重的安全隐患；(3)对于电镀填孔：过孔的尺寸大了，会大大提升埋孔电镀的工艺难度和加工时间；过孔尺寸小了，则必将降低互连通道的电流负载能力，容易发生电流过载，造成“烧板”。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种独立驱动的多芯片LED氮化铝陶瓷支架，包括氮化铝基板；所述氮化铝基板一端的端面上设置正极凹槽，用于安装正极铜柱；所述氮化铝基板另一端的端面上设置负极凹槽，用于安装负极铜柱；

所述氮化铝基板的正面一侧设置固晶台，另一侧设置电极；所述固晶台与正极铜柱连接；所述固晶台上设置发光芯片；所述电极与负极铜柱连接；

所述氮化铝基板的背面一侧边缘设置正极焊脚，另一侧边缘设置负极焊脚，中间位置设置散热片；所述正极焊脚与正极铜柱连接；所述负极焊脚与负极铜柱连接；

所述正极凹槽、负极凹槽、正极铜柱、负极铜柱、固晶台、发光芯片、电极、正极焊脚、负极焊脚的个数相同，至少为2个。

作为一种优选的技术方案，所述发光芯片的颜色互不相同。

作为一种优选的技术方案，所述氮化铝基板的材质为氮化铝陶瓷。

作为一种优选的技术方案，所述氮化铝陶瓷的导热系数为170～260W/(m·K)。

作为一种优选的技术方案，所述固晶台、正极铜柱、正极焊脚为一体连接。

作为一种优选的技术方案，所述电极、负极铜柱、负极焊脚为一体连接。

作为一种优选的技术方案，所述固晶台与发光芯片之间的连接方式为焊接。

作为一种优选的技术方案，所述发光芯片和电极之间通过金线连接。