[发明专利]显示面板及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201980000089.2 | 申请日: | 2019-01-28 |
公开(公告)号: | CN111837238B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 韩林宏;张毅;梁恒镇;秦世开 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 李浩 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,包括:
第一区域和第二区域,所述第一区域的像素密度大于所述第二区域的像素密度;
在所述第二区域中,每个像素包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素,其中,所述第一子像素、所述第三子像素和所述第四子像素处于同一子像素行,所述第一子像素在所述第三子像素与所述第四子像素之间,所述第一子像素和所述第二子像素处于同一子像素列,所述第一子像素与所述第二子像素分别处于相邻的子像素行,所述第一子像素的发光颜色和所述第二子像素的发光颜色相同,所述第一子像素、所述第三子像素和所述第四子像素这三者的发光颜色均不相同;
所述第二区域包括多个非发光区;在所述第二区域中,处于同一像素行的两个像素被至少一个非发光区隔开;
在所述第二区域的相邻两个像素行中,处于一个像素行的像素与处于另一个像素行的相邻像素处于不同像素列。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,
所述第一子像素和所述第二子像素均为绿色子像素,所述第三子像素为红色子像素,所述第四子像素为蓝色子像素。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其中,在所述第二区域的相邻两个像素行中,处于一个像素行的像素与处于另一个像素行的相邻像素处于不同像素列的情况下,
这两个像素的第四子像素处于同一子像素列,这两个像素的第三子像素处于不同子像素列;或者,这两个像素的第三子像素处于同一子像素列,这两个像素的第四子像素处于不同子像素列。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其中,
在所述第二区域的每个像素中,该像素的第一子像素的发光器件和该像素的第二子像素的发光器件与同一个子像素驱动电路电连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其中,
在所述第二区域的每个像素中,该像素的第一子像素的发光器件与一个子像素驱动电路电连接,该像素的第二子像素的发光器件与另一个子像素驱动电路电连接。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其中,
每个子像素行包括与同一条栅极线电连接的多个子像素;
每个子像素列包括与同一条数据线电连接的多个子像素。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其中,
所述第二区域的红色子像素的像素界定层的开口面积大于所述第一区域的红色子像素的像素界定层的开口面积;
所述第二区域的绿色子像素的像素界定层的开口面积大于所述第一区域的绿色子像素的像素界定层的开口面积;
所述第二区域的蓝色子像素的像素界定层的开口面积大于所述第一区域的蓝色子像素的像素界定层的开口面积。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其中,在第二区域的部分像素中,
所述第三子像素的像素界定层的开口和所述第四子像素的像素界定层的开口处于同一开口行,
所述第一子像素的像素界定层的开口在所述第三子像素的像素界定层的开口所在开口行的下一开口行,
所述第二子像素的像素界定层的开口在所述第三子像素的像素界定层的开口所在开口行的上一开口行。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其中,在第二区域的部分像素中,
所述第三子像素的像素界定层的开口和所述第四子像素的像素界定层的开口处于同一开口行,
所述第一子像素的像素界定层的开口和所述第二子像素的像素界定层的开口在所述第三子像素的像素界定层的开口与所述第四子像素的像素界定层的开口之间,且所述第一子像素的像素界定层的开口和所述第二子像素的像素界定层的开口处于同一开口列。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其中,
所述第二区域的每个像素的子像素的像素界定层的开口配比与所述第一区域的每个像素的子像素的像素界定层的开口配比相等。
11.一种显示装置,包括:如权利要求1至10任意一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的