[发明专利]量子点结构及其制作方法、光学薄膜及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种量子点结构，包括：

量子点，包括量子点本体和量子点表层；以及

氧化物层，在所述量子点的表面且部分覆盖所述量子点的表面，

其中，所述量子点表层包括阴离子，所述氧化物层通过配位键与所述阴离子相结合。

2.根据权利要求1所述的量子点结构，其中，所述氧化物层包括金属离子。

3.根据权利要求2所述的量子点结构，其中，所述金属离子包括镉、镍、锌、铝、以及稀土离子中的至少之一。

4.根据权利要求2所述的量子点结构，其中，一个所述阴离子结合一个所述金属离子。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的量子点结构，其中，所述氧化物层的厚度为0.3nm-1nm。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的量子点结构，其中，所述量子点表层还包括阳离子，所述阳离子和所述阴离子在所述量子点表层规则排列。

7.根据权利要求5所述的量子点结构，其中，所述氧化物层暴露所述阳离子。

8.根据权利要求6或7所述的量子点结构，还包括：

表面配体，在所述量子点的所述阳离子和所述氧化物层上。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的量子点结构，其中，所述量子点的直径在3nm-15nm的范围内。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的量子点结构，其中，所述量子点包括核心量子点、核/壳量子点、核/壳/壳量子点、核/梯度壳层量子点中的一种或多种。

11.一种光学薄膜，包括根据权利要求1-10中任一项所述的量子点结构。

12.一种显示装置，包括发光区域，其中所述发光区域设置有根据权利要求1-10中任一项所述的量子点结构或者根据权利要求11所述的光学薄膜。

13.一种量子点结构的制作方法，包括：

提供量子点，所述量子点包括量子点本体和量子点表层；以及

在所述量子点的表面形成部分覆盖所述量子点的表面的氧化物层，

其中，所述量子点表层包括阴离子，所述氧化物层通过配位键与所述阴离子相结合。

14.根据权利要求13所述的量子点结构的制作方法，其中，在所述量子点的表面形成部分覆盖所述量子点的表面的所述氧化物层包括：

将所述量子点的溶液和含有金属离子的溶液混合；

所述含有金属离子的溶液中的金属离子吸附到所述量子点的表面；

通入氧气并驱动所述含有金属离子的溶液中的金属离子在所述量子点的表面上氧化并生成氧化物分子，并

控制所述含有金属离子的溶液的用量和反应时间在所述量子点的表面形成所述氧化物层。

15.根据权利要求14所述的量子点结构的制作方法，其中，所述含有金属离子的溶液中的金属离子吸附到所述量子点的表面包括：

通过加热处理、搅拌处理和超声波处理中的至少之一使所述含有金属离子的溶液中的金属离子吸附到所述量子点的表面。

16.根据权利要求15所述的量子点结构的制作方法，其中，通过加热处理、搅拌处理和超声波处理中的至少之一使所述含有金属离子的溶液中的金属离子吸附到所述量子点的表面包括：

对所述量子点的溶液和所述含有金属离子的溶液的混合溶液进行所述加热处理和所述搅拌处理使所述含有金属离子的溶液中的金属离子吸附到所述量子点的表面，

其中，所述加热处理的温度为200-300摄氏度，所述搅拌处理的转速为300-1000rpm。