[发明专利]光电传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种光电传感器，其特征在于，包括：光电二极管和反射结构，

其中，所述反射结构设置于所述光电二极管的外侧或者内部，和/或，所述反射结构设置于所述光电二极管的下方，以使不同角度入射的入射光在经过所述光电二极管到达所述反射结构时被反射，重新回到所述光电二极管中。

2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述反射结构沿所述光电二极管的高度方向设置于所述光电二极管的外侧或者内部。

3.根据权利要求1或2所述的光电传感器，其特征在于，若所述反射结构设置于所述光电二极管的外侧，在所述反射结构与所述光电二极管的外壁之间设置有第一透光介质层，且所述第一透光介质层的厚度使得所述光电二极管与所述反射结构之间满足针对所述入射光的光学谐振条件。

4.根据权利要求3所述的光电传感器，其特征在于，所述反射结构围绕所述光电二极管连续或者离散分布。

5.根据权利要求1或2所述的光电传感器，其特征在于，若所述反射结构设置于所述光电二极管的内部，所述反射结构位于靠近所述光电二极管的外壁的区域。

6.根据权利要求5所述的光电传感器，其特征在于，所述反射结构在靠近所述光电二极管的外壁的区域连续或者离散分布。

7.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述反射结构沿所述光电二极管的水平方向设置于所述光电二极管的下方。

8.根据权利要求1或7所述的光电传感器，其特征在于，若所述反射结构设置于所述光电二极管的下方，在所述反射结构与所述光电二极管的下表面之间设置有第二透光介质层，且所述第二透光介质层的厚度使得所述光电二极管与所述反射结构之间满足针对所述入射光的光学谐振条件。

9.根据权利要求8所述的光电传感器，其特征在于，所述反射结构还用于阻挡光从所述光电二极管的下方进入所述光电二极管。

10.根据权利要求8或9所述的光电传感器，其特征在于，所述光电二极管的下电极位于所述光电二极管与所述反射结构之间，且所述光电二极管的下电极位于所述光电二极管的外围区域下方，以允许所述入射光在经过所述光电二极管之后到达所述反射结构。

11.根据权利要求10所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述光电二极管构成所述光电传感器的像素单元。

12.根据权利要求11所述的光电传感器，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

栅极，

覆盖于所述栅极上的由透光绝缘材料形成的第一绝缘层，

位于所述第一绝缘层上的沟道层，

位于所述沟道层上的第一导电层，所述第一导电层上具有露出所述沟道层的空隙，以将所述第一导电层分隔为源极和漏极，

其中，所述第一绝缘层延伸至所述光电二极管的下方，且位于所述反射结构上方的部分形成所述第二透光介质层；所述第一导电层延伸至所述光电二极管的外围区域下方，以形成所述光电二极管的下电极。

13.根据权利要求12所述的光电传感器，其特征在于，所述反射结构、所述第一绝缘层和所述第一导电层形成存储电容，以增加所述光电二极管探测的动态范围。

14.根据权利要求1至6中任一项所述的光电传感器，其特征在于，所述反射结构的反射材料为空气、金属、二氧化硅、复合材料中的至少一种。

15.根据权利要求7至13中任一项所述的光电传感器，其特征在于，所述反射结构的反射材料为金属。